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SST2222AT116 发布时间 时间:2025/5/8 14:39:37 查看 阅读:6

SST2222AT116是一款由Microchip Technology推出的基于SuperFlash技术的串行NOR闪存芯片。该芯片提供高性能和高可靠性的非易失性存储解决方案,适用于需要快速数据访问、低功耗和小型封装的应用场景。
  该器件支持标准SPI协议,并具备双输出和四输出模式以提高数据吞吐量。其工作电压范围为2.7V至3.6V,支持宽温范围(-40°C至+85°C),非常适合工业级应用。

参数

容量:128Mbit
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TFBGA-24
  页大小:256 字节
  扇区大小:4KB
  擦除时间:典型值 3ms
  写入时间:典型值 40us
  读取速度:高达 104MHz

特性

SST2222AT116采用先进的SuperFlash工艺制造,具有以下主要特点:
  1. 高性能:支持高达104MHz的工作频率,能够实现快速的数据传输。
  2. 可靠性:具备强大的数据保持能力,确保数据在长时间存储中的完整性。
  3. 灵活性:支持标准SPI指令集,同时兼容双输出(Dual Output)和四输出(Quad Output)模式,满足不同应用场景需求。
  4. 小型化:采用紧凑的TFBGA-24封装,适合空间受限的设计。
  5. 安全性:提供软件写保护功能,防止意外修改存储内容。
  6. 耐用性:擦写周期可达10万次,数据保存期限超过20年。

应用

SST2222AT116广泛应用于需要大容量存储和高可靠性的领域,包括但不限于:
  1. 工业控制设备:如PLC、HMI触摸屏等,用于固件存储和日志记录。
  2. 消费类电子产品:例如打印机、数码相机以及智能家居设备。
  3. 医疗仪器:如便携式医疗监测设备,用于程序代码存储和患者数据记录。
  4. 通信设备:路由器、交换机等网络设备中的引导加载程序存储。
  5. 汽车电子:仪表盘、车载信息娱乐系统等领域,保障系统的稳定运行。

替代型号

SST25VF016B, W25Q128JV, MX25L12806E

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SST2222AT116产品

SST2222AT116参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SST3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SST2222AT116TR