时间：2025/11/8 7:43:09
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RSR025N03 TL是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高密度电源应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，能够在低电压应用中实现极低的导通电阻和优异的开关性能。RSR025N03 TL特别适用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池供电设备等需要高效能功率管理的场合。其封装形式为小型化的PowerPAK SO-8L封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合对PCB面积敏感的应用场景。
这款MOSFET在10V栅源电压（VGS）下具有非常低的漏源导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗，提高系统整体效率。同时，它具备较高的电流承载能力，并能在高温环境下稳定工作，表现出良好的可靠性。RSR025N03 TL符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。此外，内置的体二极管可提供反向电流保护功能，在感性负载切换时起到关键作用。
型号：RSR025N03 TL
类型：N沟道MOSFET
封装：PowerPAK SO-8L
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25℃：9.8A
脉冲漏极电流（IDM）：39A
导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：2.5mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：3.2mΩ
阈值电压VGS(th)典型值：1.5V
输入电容Ciss：1200pF
输出电容Coss：450pF
反向恢复时间trr：12ns
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
热阻结到外壳（RθJC）：3.5℃/W
热阻结到环境（RθJA）：45℃/W
RSR025N03 TL采用了瑞萨先进的沟槽栅极MOSFET工艺，这种结构通过优化单元设计与掺杂分布，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了超低RDS(on)值。在VGS=10V条件下，其典型RDS(on)仅为2.5mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少功率损耗，提升系统能效。同时，即使在较低的驱动电压如4.5V下，其RDS(on)也仅上升至3.2mΩ，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接控制的应用场景。
该器件具有出色的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），能够实现快速的开启与关断动作，减小开关过程中的交越损耗，特别适合高频开关电源应用。其输入电容Ciss为1200pF，输出电容Coss为450pF，这些参数经过优化以平衡开关速度与电磁干扰（EMI）之间的关系。此外，反向恢复时间trr仅为12ns，配合快速体二极管，可在同步整流或桥式电路中有效抑制电压尖峰和振荡，增强系统稳定性。
RSR025N03 TL采用PowerPAK SO-8L封装，该封装具有底部散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，实现高效的热管理。相比传统SO-8封装，其热阻RθJC低至3.5℃/W，大幅提升了功率密度和长期运行的可靠性。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定运行。所有电气参数均经过严格测试，并提供完整的数据手册支持，便于工程师进行热仿真与电路设计。
RSR025N03 TL广泛应用于多种高性能电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源路径管理，利用其低导通电阻和快速响应特性来实现高效的电源切换与节能控制。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常作为主开关管或同步整流管使用，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，满足处理器和GPU对低电压大电流供电的需求。
在电机驱动领域，RSR025N03 TL可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，凭借其高电流能力和快速开关特性，实现精确的速度与方向控制。此外，在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用作充放电控制开关，确保电池组的安全运行。工业电源、LED驱动电源以及USB PD快充适配器也是其典型应用场景。由于其小型化封装和优良热性能，特别适合空间受限但功率密度要求高的紧凑型设计。
RSR030N03 TL, RSR035N03, AON6240, SI4397DDY-T1-GE3
