型号：DO3316P-102
　　电容值：1 nF (1000 pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：100 V DC
　　介电材料：X7R
　　封装尺寸：0805 (EIA)
　　尺寸（长×宽×高）：2.0 mm × 1.25 mm × 1.25 mm
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：±15% (-55°C 至 +125°C)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
　　老化率：典型值 <2.5% / decade hour
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ 或 ≥100 S·μF（取较小值）
　　介质击穿电压：≥250 V DC
　　等效串联电阻（ESR）：低（典型值在MHz频段为几毫欧到数十毫欧）
　　等效串联电感（ESL）：低（典型值在0.2 - 0.5 nH范围）

DO3316P-102采用X7R型多层陶瓷介质材料，具备出色的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，这一特性使其能够在极端环境条件下保持电路性能的稳定性。X7R材料属于铁电体陶瓷，具有较高的介电常数，能够在较小封装内实现相对较大的电容值，同时兼顾良好的频率响应和较低的损耗。该电容器的电容容差为±10%，确保了批量生产中的一致性与可预测性，适用于对精度有一定要求但无需精密匹配的应用场景。
　　该器件具备100 V的额定直流工作电压，能够承受瞬态过压并在高压信号耦合或电源滤波中提供安全保障。在实际应用中，随着施加直流偏压的升高，X7R介质的电容值会有所下降，这是铁电材料的固有特性；因此在设计时需参考厂商提供的直流偏压降额曲线进行有效容量评估。DO3316P-102的低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其在高频去耦和噪声抑制方面表现出色，尤其适用于开关电源输出端、IC电源引脚旁路以及射频电路中的滤波环节。
　　机械结构上，该MLCC采用三层端子电极设计（Ni/Sn镀层），增强了焊接可靠性和抗热冲击能力，减少因回流焊过程中的热应力导致的微裂纹风险。其0805封装形式是业界广泛使用的标准尺寸，兼容自动化贴片工艺，便于大规模生产。此外，产品符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，并通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（THB）、温度循环测试（TCT）和耐焊接热测试，确保在复杂工况下的长期稳定性。

DO3316P-102广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能家居设备，它常被用于处理器或电源管理单元的去耦网络，以滤除高频噪声并稳定供电电压。在工业控制系统中，该电容器可用于PLC模块、传感器接口电路和DC-DC转换器中，提供稳定的滤波功能，防止电磁干扰影响系统运行。
　　在通信设备领域，DO3316P-102因其良好的高频响应特性，常用于射频前端模块、时钟电路和数据传输线路的旁路应用，有效抑制信号串扰和电源波动。在汽车电子系统中，尽管该型号非专为车规级设计，但在某些次级系统如车载信息娱乐系统、车身控制模块中仍可使用，前提是满足相应的环境和寿命要求。此外，在电源适配器、LED驱动电源和开关模式电源（SMPS）中，该电容器可用于输入/输出滤波电路，提升整体电源质量。
　　由于其宽温特性和较高的耐压能力，DO3316P-102也适用于户外设备、医疗仪器和测试测量设备等对环境适应性要求较高的场合。在PCB布局设计中，建议将其尽可能靠近目标芯片的电源引脚放置，以最小化走线电感，充分发挥其高频去耦效能。同时，应避免将此类陶瓷电容器布置在PCB弯折区域或应力集中点，以防机械应力引发裂纹导致早期失效。

C3216X7R1H102K
　　GRM21BR71H102KA01L
　　CL21A102KBANNNC
　　TC3216X7R102K100
　　ECJ-2VB1H102F