FMC12N50E 时间：2025/8/9 12:39:52 阅读：30

FMC12N50E是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高电压和高功率应用，具备良好的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子产品中的功率控制电路。FMC12N50E采用TO-220封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.4Ω
　　栅极电荷（Qg）：约45nC
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　封装类型：TO-220

特性

FMC12N50E的主要特性包括高电压和大电流能力，适用于多种功率电子应用。其500V的漏极-源极击穿电压使其能够在高压环境下稳定工作，而12A的连续漏极电流则确保了在高功率负载下仍能保持良好的性能。
　　该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，FMC12N50E的快速开关特性使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。其TO-220封装形式不仅有助于散热，还便于安装在散热片或PCB上，适用于需要高功率密度的设计。
　　此外，FMC12N50E的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至15V之间正常工作，兼容常见的MOSFET驱动电路。其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的负担，提高系统效率。

应用

FMC12N50E广泛应用于多种功率电子设备中，包括AC-DC和DC-DC电源转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、LED照明系统、电池管理系统以及工业自动化和控制设备。
　　在电源管理领域，FMC12N50E可用于构建高效的电源转换电路，如PFC（功率因数校正）电路、隔离式和非隔离式降压/升压变换器等。其高电压和大电流能力使其非常适合用于高压电源系统的主开关元件。
　　在电机控制方面，FMC12N50E可用于H桥驱动电路，实现直流电机或步进电机的双向控制。由于其导通电阻低，能够在高负载条件下提供稳定的输出，并减少发热。
　　在LED照明系统中，FMC12N50E可用于恒流驱动电路，确保LED灯具在不同输入电压下仍能保持亮度稳定，同时提高整体能效。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统中的充放电控制电路，帮助实现高效的能量管理。