类型：SRAM
　　容量：64K x 8位
　　电源电压：3.3V 或 5V（取决于具体型号后缀）
　　访问时间：5.5ns（最大值）
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装形式：32引脚 TSOP
　　数据保持电压：最小1.5V
　　最大读取电流：根据使用情况变化
　　封装尺寸：根据厂商规格

IDT7164L55L32B 芯片具备多个显著的技术特点，首先是其高速访问能力，访问时间为5.5ns，使得它非常适合对响应时间有严格要求的应用场合。其次，这款SRAM支持多种电源电压选项，包括常见的3.3V和5V供电标准，这增加了其在不同电路设计中的适用性。此外，该芯片具有较低的工作电流，有助于减少系统整体能耗，提高能效。
　　IDT7164L55L32B 采用了先进的CMOS制造工艺，保证了其在复杂电磁环境下的稳定运行。同时，该芯片支持宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），使其能够在恶劣环境下依然保持可靠的性能表现。这种宽温特性特别适合于户外设备、车载系统和工业自动化控制等应用场景。
　　该SRAM还提供了强大的数据保持能力，在掉电情况下能够通过备用电源维持数据.5V，确保即使在主电源中断时也能保护关键信息不丢失。

IDT7164L55L32B 常用于需要高速缓存和临时数据存储的场合，例如路由器和交换机的数据缓冲区管理、数字信号处理器（DSP）的本地内存、嵌入式系统的临时数据存储单元、测试测量仪器的数据采集模块以及各种工业控制设备的性能指标与稳定性，该芯片也被广泛集成在航空航天、医疗电子、精密仪器仪表等高可靠性要求的产品中。
　　在一些高性能计算系统中，该SRAM还可作为专用硬件加速器或FPGA协处理器的辅助存储单元，提供快速的数据读写支持。此外，在消费类电子产品如高端音视频播放设备中，也可以看到它的身影，用以实现流畅的媒体流传输和处理功能。

ISSI IS61LV6416-5J, Cypress CY62148EVLL-55ZSXI, Renesas IDT7164SA55PFG, Microchip SST39LF800B-55-4C-E