类型：DRAM
　　容量：1Gb（128MB）
　　数据宽度：16位
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：98-ball FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：高达166MHz
　　接口：Mobile DDR
　　制造商：SK Hynix
　　型号后缀：H9I 表示特定的温度与封装组合

H5TC1G63EFR-H9I 是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片，其主要特性包括高效的16位数据总线、支持1.8V电压操作，从而降低功耗并延长电池寿命。该器件采用先进的DRAM工艺制造，具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于严苛的工业和移动环境。该芯片支持快速的时钟频率（最高可达166MHz），从而提升数据吞吐量，满足高性能处理器和图形加速器的内存需求。
　　H5TC1G63EFR-H9I 的FBGA封装设计有助于提高封装密度并减少PCB布线复杂性，适用于紧凑型移动设备设计。其-40°C至+85°C的工作温度范围使其能够适应各种环境条件，确保在极端温度下的稳定运行。此外，该芯片支持低功耗自刷新模式（Self-Refresh Mode），在设备处于待机状态时可显著降低功耗。

H5TC1G63EFR-H9I 广泛应用于各类便携式电子产品，尤其是对功耗和性能有较高要求的移动设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式游戏机、数字音频播放器以及工业控制系统等。由于其高性能和低功耗特性，该DRAM芯片也适用于需要实时数据处理和图形渲染的场景，如移动GPU缓存、多任务处理内存支持等。此外，该芯片也适用于一些需要宽温范围操作的工业或车载电子系统。

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