时间：2025/12/25 14:02:17
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RSJ250P10FRATL是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET器件，主要用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出优异的性能。RSJ250P10FRATL封装于PowerPAK? SO-8L封装中，具有较小的占板面积和良好的热性能，适合空间受限但要求高功率密度的设计场景。
该MOSFET的额定电压为100V，连续漏极电流可达25A，适用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等多种工业和消费类电子产品中。其低导通电阻（RDS(on)）特性可显著降低导通损耗，提高系统整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的抗雪崩能力和优良的开关稳定性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。
型号：RSJ250P10FRATL
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：25 A
脉冲漏极电流（IDM）：100 A
最大功耗（PD）：40 W
导通电阻（RDS(on) max）@ VGS=10V：10.5 mΩ
导通电阻（RDS(on) max）@ VGS=4.5V：13.5 mΩ
阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
输入电容（Ciss）：2900 pF
输出电容（Coss）：520 pF
反向恢复时间（trr）：38 ns
工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 ℃
封装形式：PowerPAK SO-8L
RSJ250P10FRATL采用瑞萨先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了超低导通电阻与优异的开关特性的完美结合。其典型导通电阻在VGS=10V时仅为10.5mΩ，这大大降低了在大电流应用中的导通损耗，提升了电源系统的转换效率。同时，在4.5V栅极驱动条件下仍能保持13.5mΩ的低RDS(on)，使其兼容低压逻辑控制电路，如3.3V或5V驱动的控制器，广泛适用于现代低电压高电流的同步降压变换器设计。
该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于减少开关过程中的驱动损耗和电压振荡，提升高频工作的稳定性。输入电容约为2900pF，输出电容为520pF，使得其在数百kHz至MHz级别的开关频率下仍能保持高效运行。此外，较短的反向恢复时间（trr=38ns）有效降低了体二极管在同步整流中的反向恢复损耗，避免了因反向电流引起的额外发热问题，提高了系统的可靠性。
PowerPAK SO-8L封装无铅且符合RoHS标准，采用底部散热焊盘设计，可通过PCB铜箔实现高效的热传导，显著改善热阻性能。该封装还减少了寄生电感，增强了器件在快速开关过程中的抗噪声能力。器件经过严格测试，具备高抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压情况下维持稳定工作，延长使用寿命。此外，其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）确保其在高温工业环境或密闭空间内依然可靠运行，适用于车载电子、工业电源及通信设备等对可靠性要求较高的领域。
RSJ250P10FRATL广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合作为同步整流MOSFET或主开关管使用。常见应用场景包括非隔离型DC-DC降压变换器（Buck Converter），特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器、嵌入式电源模块中用于实现高效的电压调节。由于其低导通电阻和高电流承载能力，也常被用于电池管理系统（BMS）、电动工具电源、LED驱动电源以及电机驱动电路中作为功率开关元件。
在负载开关（Load Switch）设计中，RSJ250P10FRATL能够提供快速的开启与关闭响应，配合软启动功能可有效抑制浪涌电流，保护后级电路。此外，在UPS不间断电源、电信整流器和光伏逆变器等工业电源设备中，该器件可用于初级侧或次级侧的功率控制环节，提升整体能效并降低散热需求。得益于其小型化封装和优良热性能，该MOSFET也适用于空间受限但需要高功率密度的便携式设备电源管理单元。汽车电子领域中，如车载充电机（OBC）或DC-DC转换模块，只要工作电压在100V以内且散热设计得当，也可考虑使用该型号以实现紧凑高效的解决方案。
RJK03B9DPNPS
SIHH100N10T1
AOZ6321AIP
