类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：0.065Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
　　漏极-源极击穿电压：100V
　　封装形式：TO-220

2N5564-E3具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其最大Rds(on)值为0.065Ω，这在同类器件中属于较低水平。
　　其次，2N5564-E3的封装设计采用TO-220封装，提供了良好的散热性能，能够在高功率应用中有效管理热量。这种封装形式也便于安装和散热片的连接，适用于各种电路板布局。
　　此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值为60nC，有助于减少开关损耗并提高高频应用中的性能。这意味着在开关电源或电机驱动等高频操作中，2N5564-E3能够实现更快的开关速度和更低的能量损耗。
　　2N5564-E3的高漏源电压（100V）和大连续漏极电流（30A）使其适用于多种高功率应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制器等。该器件的高可靠性和宽工作温度范围（-55℃至+150℃）也使其适合在严苛环境中使用。
　　最后，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了较高的栅极驱动灵活性，使得它可以与多种控制电路兼容，包括微控制器和专用驱动IC。

2N5564-E3广泛应用于需要高效率、高可靠性和高性能的电子系统中。
　　在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统中，其低导通电阻和高电流承载能力能够有效减少能量损耗并提高整体效率。
　　在电机控制方面，2N5564-E3适用于无刷直流电机（BLDC）驱动和步进电机控制电路。其高电流能力确保电机在高负载条件下仍能稳定运行，同时其快速开关特性也有助于提高控制精度。
　　在工业自动化和控制系统中，2N5564-E3可用于负载开关、继电器替代和高侧开关等应用。其高耐压和良好的热性能使其在频繁开关操作中表现出色。
　　此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。其宽温度范围和高可靠性确保其在恶劣环境下仍能正常工作。
　　对于DIY爱好者和工程师而言，2N5564-E3也是原型设计和测试电路中的常用器件，适用于功率放大器、LED驱动器和电源调节电路等项目。

IRFZ44N, FDPF6N60, STP55NF06, FQP30N06L