型号：RSJ250P10
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-100V
　　最大连续漏极电流（ID）：-25A（Tc=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-100A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-3.0V ~ -4.5V
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）：< 95mΩ @ VGS = -10V, ID = -20A
　　输入电容（Ciss）：约2800pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：约750pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（体二极管）
　　开启延迟时间（td(on)）：约25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约65ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（D-Pak）

RSJ250P10的核心优势在于其低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在高效率电源转换应用中表现出色。该器件的RDS(on)典型值低于95mΩ，在VGS = -10V且ID = -20A的工作条件下，能够显著降低导通损耗，减少发热，提高系统的整体能效。这对于需要长时间运行或对热管理有严格要求的应用尤为重要，例如工业控制模块、通信电源和便携式电子设备。
　　其次，RSJ250P10采用了优化的沟槽结构设计，提升了载流子迁移率并减少了寄生电容，从而改善了开关速度和动态性能。其输入电容（Ciss）约为2800pF，在高频开关应用中仍能保持较低的驱动功率需求，兼容常见的PWM控制器输出级。同时，较短的开启延迟时间和关断延迟时间（分别为约25ns和65ns）确保了快速的开关响应，有助于减小死区时间，提升DC-DC变换器的转换效率。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。TO-252封装提供了较大的焊盘面积，有利于PCB上的散热设计，通过适当的布局和敷铜可以有效将热量传导至外部环境，延长器件寿命。此外，RSJ250P10经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣工作环境下依然稳定可靠。
　　RSJ250P10支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），增强了其在不同电路设计中的兼容性。其负向栅极阈值电压范围为-3.0V至-4.5V，确保在标准逻辑电平或专用驱动器下均可实现充分导通。内置的体二极管虽然不具备超快恢复特性，但在大多数非高频整流场景中足以满足续流需求。综合来看，RSJ250P10是一款兼具高性能、高可靠性和良好性价比的P沟道MOSFET器件，适用于多种中高功率开关应用。

RSJ250P10广泛应用于各类中高功率电源管理系统中，尤其适合作为高侧或低侧开关使用。其主要应用场景包括但不限于：离线式AC-DC电源中的同步整流或待机电源控制；DC-DC降压/升压转换器中的主开关元件，特别是在输入电压较高（如48V系统）但输出电流较大的场合；工业自动化设备中的电机驱动保护电路或电源切换模块；电信设备中的冗余电源切换和负载分配控制；以及UPS不间断电源、逆变器和电池管理系统（BMS）中的功率通断控制。
　　由于其具备-100V的耐压能力和-25A的连续漏极电流承载能力，RSJ250P10特别适用于12V至72V的工业电源系统，能够在较宽的输入电压范围内保持稳定的开关性能。在电池供电系统中，它可以作为防反接保护开关或充电/放电路径的控制元件，利用其低RDS(on)特性最小化能量损耗，延长续航时间。
　　此外，该器件也常用于热插拔控制器配套的功率开关，凭借其快速响应能力和较强的浪涌电流承受能力（IDM达-100A），可在系统带电插入时有效抑制冲击电流，保护后级电路。在LED驱动电源中，RSJ250P10可用于恒流调节回路中的主控开关，实现精确的亮度调控与过流保护功能。
　　得益于其TO-252封装的小型化特点和良好的散热性能，RSJ250P10也能适应空间受限但散热要求较高的嵌入式系统设计，例如工控主板、网络交换机电源模块和智能电表等。总之，无论是在消费类电子、工业控制还是通信基础设施领域，RSJ250P10都是一款实用性强、适用范围广的功率MOSFET解决方案。

SIHF450P10-T1-E3
　　SPMTP25P10S
　　FQP25P10
　　MTP25P10G
　　IPB027N10N3