IRFR825 时间：2025/12/26 18:56:04 阅读：14

IRFR825是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好的平衡，从而提升整体系统效率。IRFR825特别适用于需要在高电流条件下保持较低功耗的应用场景。其封装形式为TO-220AB，具备良好的热性能和机械稳定性，适合通孔安装方式，便于在多种电路板设计中集成。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了其在瞬态过压或感性负载切换过程中的可靠性。
　　作为一款增强型场效应晶体管，IRFR825在栅极施加正电压时导通，且阈值电压适中，便于与标准逻辑电平驱动电路兼容。其设计兼顾了高耐压能力和较低的RDS(on)特性，使其成为工业控制、消费类电源以及照明驱动等领域的理想选择。由于其出色的热稳定性和长期可靠性，IRFR825也常用于环境条件较为严苛的工业设备中。

参数

型号：IRFR825
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：3.8 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：15 A
　　导通电阻（RDS(on)）：max 2.2 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：400 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：110 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：46 ns
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装：TO-220AB

特性

IRFR825具备多项优异的电气与物理特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于各种离线式开关电源设计中，如AC-DC适配器、LED驱动电源和小型逆变器等。在此电压等级下，该器件仍能保持较低的导通电阻（典型值低于2.2Ω），有效减少导通状态下的功率损耗，提高能源利用效率。
　　其次，IRFR825采用了英飞凌成熟的沟槽栅结构技术，这种结构不仅提升了单位面积内的载流子迁移率，还显著降低了RDS(on)与栅极电荷之间的乘积（Qg × RDS(on)），这是衡量MOSFET综合性能的重要指标之一。这意味着在相同的开关频率下，该器件所需的驱动功率更少，同时发热更低，有助于简化散热设计并提升系统紧凑性。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，其最大结温可达150°C，并支持在高温环境下持续运行。结合TO-220AB封装所具备的优良散热能力，即使在恶劣工作条件下也能维持稳定性能。器件还内置了快速体二极管，反向恢复时间较短（约46ns），可有效抑制开关瞬态过程中的电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。
　　IRFR825还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发的过压或感性负载关断事件中吸收一定的能量而不损坏，这对于电机驱动或继电器控制等存在大电感负载的应用尤为重要。其栅极氧化层经过优化设计，耐受±30V的栅源电压，提高了对误操作或噪声干扰的容忍度。总体而言，这些特性共同构成了IRFR825在工业与消费类电源应用中的核心竞争力。

应用

IRFR825广泛应用于多种中等功率的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关器件使用。由于其500V的耐压能力和适中的电流承载能力，非常适合用于通用输入电压范围（85~265V AC）的电源设计。
　　在DC-DC转换器领域，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构中，尤其适用于需要高效率和小体积的嵌入式电源模块。此外，在电机控制应用中，IRFR825可作为H桥电路中的低端或高端开关元件，驱动直流电机或步进电机，广泛见于家用电器、办公自动化设备及小型工业机械中。
　　照明系统特别是高亮度LED驱动电源也是其重要应用场景之一。在恒流驱动电路中，IRFR825可用于脉宽调制（PWM）调光控制，确保LED光源稳定发光的同时实现节能目标。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、电焊机电源、电池充电器以及各类工业控制设备中的功率开关模块。凭借其高可靠性与成熟的供应链支持，IRFR825已成为许多设计师在中压功率开关选型中的首选之一。