RSH125N03TB 时间：2025/6/14 17:39:15 阅读：4

RSH125N03TB 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效功率转换的场合。
　　它能够在高频应用中提供出色的性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性，非常适合于开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。

参数

型号：RSH125N03TB
　　类型：N沟道 MOSFET
　　Vds（漏源电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻）：1.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：125A
　　Ptot（总功耗）：180W
　　封装形式：TO-247-3
　　f（工作频率范围）：支持高达 1MHz 的开关频率
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

RSH125N03TB 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以有效降低传导损耗，提升效率。
　　2. 高额定电流 Id，使其能够处理大功率负载。
　　3. 快速开关能力，适合高频电路设计，减少能量损失。
　　4. 强大的散热性能，确保在高功率条件下长期稳定运行。
　　5. 宽泛的工作温度范围，适应多种环境条件下的应用需求。
　　6. 优异的抗静电能力，提高产品可靠性和使用寿命。
　　这些特点使 RSH125N03TB 成为工业级及汽车级应用的理想选择。

应用

该器件广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
　　3. 各类负载切换电路。
　　4. 电池管理系统（BMS），用于保护和管理锂电池组。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 电动汽车和混合动力汽车中的电力电子系统。
　　RSH125N03TB 凭借其卓越的性能，能够在上述应用场景中实现高效、可靠的功率转换和控制。