您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GRT1555C1H431JA02D

GRT1555C1H431JA02D 发布时间 时间:2025/7/1 16:53:59 查看 阅读:9

GRT1555C1H431JA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的领域。该器件采用了先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,也具有较低的栅极电荷,从而提高了效率并降低了开关损耗。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,适合高电流和高频应用场合,能够承受较大的负载波动,并提供稳定的性能表现。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):98A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):85nC
  总电容(Ciss):4270pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GRT1555C1H431JA02D具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,得益于其优化的栅极电荷设计,可降低开关过程中的能量损失。
  3. 高雪崩耐量能力,能够在异常情况下提供额外保护。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 提供出色的热稳定性和电气稳定性,确保长时间运行不会出现性能下降问题。
  6. 封装形式紧凑,便于集成到多种电路设计中。

应用

该芯片适用于各种需要高效率、大电流处理能力的应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)。
  3. 工业电机控制和驱动电路。
  4. 高效DC-DC转换器模块。
  5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换组件。
  6. 各种负载切换和保护电路。

替代型号

GRT1555C1H431JL02D, GRT1555C1H431JA02E

GRT1555C1H431JA02D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GRT1555C1H431JA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.05564卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容430 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-