时间：2025/6/17 9:36:11
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RSD080N06是一种N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻特性使其在高效能功率转换应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：12mΩ
栅极电荷：3.4nC
开关时间：开启延迟时间：9ns，上升时间：4ns；关闭延迟时间：7ns，下降时间：3ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
RSD080N06具有较低的导通电阻和栅极电荷，这有助于减少传导损耗和开关损耗。同时，其快速的开关速度适合高频应用。此外，该器件还具备良好的热稳定性和耐用性，能够在严苛的工作条件下长期运行。
其优化的封装设计增强了散热性能，并且能够简化PCB布局。这些特点使得RSD080N06非常适合需要高效率和高可靠性的功率管理应用。
RSD080N06常用于DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动电路以及电池保护电路等领域。它也适用于汽车电子中的负载切换和工业控制中的功率调节。由于其高效的功率处理能力，该器件在便携式设备和其他对能效要求较高的场合中也有广泛应用。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP086N06L
