类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：9A
　　脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.28Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

JX2N2310 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 的高耐压能力（60V VDS）使其适用于多种中低压功率转换场景。此外，JX2N2310 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，能够在较高工作电流下保持稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），提高了设计灵活性。同时，其高电流承载能力（9A ID）和短时脉冲电流耐受能力（36A IDM）使其能够应对突发电流冲击，适用于高可靠性要求的应用场景，如电源管理、工业自动化和汽车电子系统。
　　JX2N2310 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其封装结构具有良好的热传导性能，有助于提高系统的长期可靠性和稳定性。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。

JX2N2310 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、LED 照明驱动器、家用电器电源控制、电动车充电模块以及光伏逆变器等功率电子设备。其高可靠性和优异的电气性能使其成为众多功率控制场景的理想选择。

IRF540N, FDP6N60, STP9NK60Z, FQP9N60C