时间：2025/8/11 22:05:49
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FRA807G-BP 是一款由富昌电子（Fuman Electronics）制造的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的硅技术，具备高效能和高可靠性的特点，适用于电源管理、电机控制、逆变器以及各类功率转换设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω
栅极电荷（Qg）：23nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
FRA807G-BP 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高漏源电压（600V）和相对较高的漏极电流（8A）能力使其适用于各种高功率电路。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.8Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其栅极电荷为23nC，属于中等水平，适用于中高频开关应用，能够在保证性能的同时减少开关损耗。FRA807G-BP 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。最后，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）增强了其在不同环境下的可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。
FRA807G-BP 广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、照明控制系统以及各种高功率电子设备。在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，以提高效率；在电机控制中，它可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转和调速；在逆变器系统中，FRA807G-BP 可作为功率开关，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统。
FQA8N60C、IRF840、STF8NM60N
