RS3236-1.5YUTDN4 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,采用DFN封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率和快速开关的应用场景。其设计旨在提供卓越的功率密度和热性能,同时支持更高的工作频率以减小外部元件尺寸。
RS3236-1.5YUTDN4的主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的散热能力。通过使用氮化镓材料,这款晶体管能够显著降低传导损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。
型号:RS3236-1.5YUTDN4
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
Vds(漏源极电压):600V
Rds(on)(导通电阻):150mΩ
Id(连续漏极电流):1.5A
Qg(栅极电荷):18nC
FOM(品质因数,Rds(on)*Qg):2.7mΩ·nC
fsw(最大开关频率):5MHz
封装形式:DFN4x4-8L
结温范围:-55°C至+150°C
RS3236-1.5YUTDN4是一款高性能的氮化镓晶体管,具有以下显著特点:
1. 高效开关性能:得益于低Rds(on)和低Qg值,使得开关损耗和传导损耗都降到最低。
2. 高工作频率:支持高达5MHz的开关频率,非常适合高频应用场合。
3. 小型化设计:采用紧凑的DFN4x4-8L封装,节省PCB空间。
4. 出色的热性能:优化的封装设计提高了散热效率,保证了器件在高温环境下的稳定性。
5. 宽电压范围:600V的额定漏源极电压使其能够在高压环境下稳定工作。
6. 易于驱动:较低的栅极电荷简化了驱动电路设计,降低了系统复杂度。
这些特性共同使RS3236-1.5YUTDN4成为众多高效功率转换应用的理想选择。
RS3236-1.5YUTDN4广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、USB-PD充电器等。
2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备中的高效电压转换。
3. LED驱动器:为高亮度LED提供稳定高效的驱动方案。
4. 无线充电模块:实现更高效率和更小体积的无线充电解决方案。
5. 汽车电子:如车载充电器、OBC(On-Board Charger)等。
6. 工业控制:如伺服电机驱动、逆变器等需要高频切换的应用。
由于其高效率和高频率的特点,RS3236-1.5YUTDN4特别适合对空间和效率有严格要求的设计。
RS3236-1.5YUTDN4T, RS3236-2.0YUTDN4