RS2D-13-F 时间：2025/12/26 8:36:32 阅读：16

RS2D-13-F是一款由信发布的表面贴装型射频二极管，属于PIN二极管类别，广泛应用于高频信号控制与射频开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备良好的高频特性和稳定性，适用于现代通信系统中的射频前端模块。其小型化封装设计使其非常适合高密度PCB布局，同时保持了出色的电气性能。RS2D-13-F在无线基础设施、微波通信、雷达系统以及测试测量设备中均有广泛应用。该二极管能够在较高的频率范围内工作，表现出低插入损耗和高隔离度的特性，是实现高效射频信号路由的理想选择之一。此外，该器件具有较强的功率处理能力，能够承受一定的连续波（CW）和脉冲射频功率，适合在动态负载环境下稳定运行。由于其优异的可靠性与一致性，RS2D-13-F常被用于工业级和商业级射频产品中。

参数

类型：PIN二极管
　　封装形式：SOD-323 (SC-76)
　　最大反向电压：30V
　　正向电流（最大）：100mA
　　峰值脉冲电流：500mA
　　热阻（RθJA）：350°C/W
　　结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电容（在1MHz，1V偏置下）：0.4pF
　　串联电阻（Rs）：1.2Ω
　　反向恢复时间：≤1ns
　　工作频率范围：DC至6GHz

特性

RS2D-13-F作为一款高性能的表面贴装PIN二极管，具备多项关键特性，使其在射频开关和衰减器应用中表现卓越。首先，其低结电容（典型值为0.4pF，在1MHz和1V偏置条件下测得）确保了在高频信号路径中的最小干扰，有助于维持系统的阻抗匹配并减少信号反射，从而提升整体系统效率。其次，该器件具有较低的串联电阻（Rs约为1.2Ω），这直接降低了导通状态下的插入损耗，提高了射频信号传输的质量。
　　另一个重要特性是其快速的反向恢复时间（≤1ns），这意味着该二极管可以在高速切换应用中迅速响应控制信号的变化，实现毫微秒级的开关动作，适用于需要高调制速率的通信系统。此外，RS2D-13-F能够在高达+150°C的结温下持续工作，展现出优异的热稳定性和长期可靠性，适合部署在高温或散热受限的环境中。
　　该器件采用SOD-323小型封装，尺寸紧凑（约2.0mm × 1.25mm × 1.1mm），便于自动化贴片生产，并支持回流焊工艺，满足现代电子产品对微型化和高集成度的需求。同时，其机械结构坚固，具备良好的抗振动和抗冲击能力，适用于严苛的工作环境。RS2D-13-F还具有较高的功率耐受能力，可承受一定水平的射频峰值功率而不发生性能退化或损坏，增强了系统鲁棒性。
　　从制造角度看，该二极管基于成熟的硅外延工艺生产，批次间参数一致性好，有利于大规模量产时的良率控制和性能预测。此外，其电气参数经过严格筛选和测试，符合行业标准要求，确保在各种应用场景下的稳定表现。总体而言，RS2D-13-F凭借其优良的高频特性、紧凑封装和高可靠性，成为现代射频设计中不可或缺的基础元件之一。

应用

RS2D-13-F主要应用于各类高频电子系统中，尤其是在射频开关、可变衰减器和天线调谐电路中发挥重要作用。在无线通信基站中，它被用于实现多频段天线之间的切换，通过控制PIN二极管的导通与截止状态来选择不同的射频通道，从而优化信号接收与发射性能。在微波点对点通信链路中，该器件可用于构建宽带射频开关矩阵，实现信号路径的灵活配置。
　　此外，在测试与测量仪器（如网络分析仪、信号发生器）中，RS2D-13-F常用于内部射频信号路由管理，帮助实现不同测试模式间的快速切换，同时保持低损耗和高隔离度。在雷达系统中，该二极管可用于T/R（收发）模块中的保护电路，防止高功率发射信号对接收前端造成损害。
　　消费类电子产品如高端智能手机和平板电脑中的天线调谐模块也逐渐采用类似规格的PIN二极管，以提升多模多频通信下的天线效率。RS2D-13-F还可用于卫星通信终端、物联网网关、车载通信模块等需要高频信号控制的场景。由于其宽频带响应（DC至6GHz），该器件兼容多种通信标准，包括GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi 5/6以及部分5G频段，展现出良好的通用性与适应性。