时间：2025/9/16 2:36:33
阅读：5
MGA632P8TR1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）放大器，属于高频率、低噪声放大器（LNA）类别，适用于射频和微波通信系统。该器件采用Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor（pHEMT）技术制造，具有优异的噪声系数、高增益以及良好的线性性能。MGA632P8TR1G采用8引脚TDFN封装，便于表面贴装，适合用于无线基础设施、微波回传、测试设备和军事通信等应用。
类型：低噪声放大器（LNA）
频率范围：2.5 GHz 至 3.0 GHz
工艺技术：GaAs pHEMT
封装类型：8引脚 TDFN
工作电压：5.0 V
典型工作电流：110 mA
增益：约20 dB（典型值）
噪声系数：约0.55 dB（典型值）
输出IP3：约+25 dBm（典型值）
输入IP3：约+15 dBm（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
MGA632P8TR1G具备多项优异的性能特点，适用于高性能射频前端应用。首先，该器件在2.5 GHz至3.0 GHz频率范围内提供高达20 dB的典型小信号增益，确保在微波频段下具备良好的信号放大能力。其次，其噪声系数低至0.55 dB，使该放大器特别适合用于低噪声接收链路，有助于提升系统整体的信噪比。
此外，MGA632P8TR1G具有良好的线性性能，输出三阶交调点（OIP3）高达+25 dBm，使得在处理高功率信号时仍能保持良好的线性度，减少信号失真。该器件的输入和输出端口都已内部匹配至50Ω，简化了外部电路设计，降低了对射频工程师进行额外阻抗匹配的需求。
其采用的GaAs pHEMT技术确保了高频性能和低功耗运行，同时工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用。该放大器采用紧凑的8引脚TDFN封装，体积小巧，便于集成到高密度PCB设计中。
MGA632P8TR1G广泛应用于无线通信基础设施，如基站和微波回传系统中的低噪声接收前端。它也适用于测试与测量设备中的信号放大模块，确保高精度测量。此外，该器件还可用于军事通信设备、卫星通信系统以及雷达系统中的射频前端放大电路。
MGA-633P8、MGA-62541、HMC716、ADL5523
