H9CKNNNBPTMRLR-NTMR是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其H9CK系列。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备较高的存储密度和稳定的性能,适用于需要大容量内存支持的高端计算和嵌入式系统。H9CKNNNBPTMRLR-NTMR是为满足现代高性能计算设备、服务器、图形处理单元(GPU)和其他对内存带宽和容量要求较高的应用而设计的。该芯片封装紧凑,支持高频率运行,具有较低的功耗和较高的数据传输速率。
制造商:SK Hynix
类型:DRAM
容量:256MB
数据速率:1600Mbps
封装类型:BGA(球栅阵列封装)
电压:1.5V
接口:x16
时钟频率:800MHz
工作温度范围:-40°C至85°C
H9CKNNNBPTMRLR-NTMR具备多项先进的特性和优势,使其在高性能应用中表现出色。首先,该芯片支持1600Mbps的数据速率,能够提供高达12.8GB/s的带宽,这对于需要快速数据处理的应用(如图形处理、高速缓存和数据密集型计算)至关重要。其次,该芯片采用BGA封装技术,提供更好的电气性能和热管理能力,确保在高负载下依然保持稳定运行。
该芯片的工作电压为1.5V,相较于传统的1.8V或2.5V DRAM芯片,能够在保证性能的同时降低功耗,减少热量产生,适用于对能效要求较高的设备。此外,H9CKNNNBPTMRLR-NTMR支持x16接口模式,允许更宽的数据总线,从而提高数据吞吐量并降低系统延迟。
该芯片的时钟频率为800MHz,结合双倍数据速率(DDR)技术,可以实现每秒1600次数据传输,进一步提升性能。其工作温度范围为-40°C至85°C,适用于工业级和嵌入式应用,能够在严苛的环境条件下稳定运行。
H9CKNNNBPTMRLR-NTMR还支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电或低功耗状态下依然能够保持完整性。该芯片具备良好的兼容性,可与多种控制器和主控芯片配合使用,广泛应用于各种高性能计算和存储系统。
H9CKNNNBPTMRLR-NTMR广泛应用于需要高性能内存支持的设备和系统,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、图形加速器、高端消费电子产品以及服务器内存模块。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片特别适合用于需要实时数据处理和高速缓存的应用场景。
H9CKNNNBPTMRLR-NTMR的替代型号包括H9CKNNNBPTMLR-NTMR和H9CKNNNBPTJBLR-NTMR,这些型号在性能和封装方面具有相似的特性,可根据具体应用需求进行选择。