晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　封装类型：SOT-523
　　最大工作温度：150°C

RS1JT/R晶体管具有多项优良特性，适合多种电子电路应用。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电路中的开关或放大应用。其次，最大集电极电流为100mA，虽然不属于大电流晶体管，但在小型信号放大和逻辑控制电路中表现良好。
　　该晶体管的功耗为200mW，表明其能够在相对较高的功率条件下稳定工作，同时不会产生过多的热量，适合在小型化设备中使用。此外，RS1JT/R采用SOT-523封装，体积小巧，便于在PCB上布局，并且具备良好的散热性能。
　　RS1JT/R的电气特性在较宽的温度范围内保持稳定，最大工作温度可达150°C，这使其在高温环境下也能可靠运行。同时，该晶体管的制造工艺符合RoHS标准，符合环保要求，适用于消费类电子、工业控制、通信设备等对环保和可靠性有较高要求的应用场景。

RS1JT/R晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要应用包括信号放大电路、开关电路、逻辑控制电路等。例如，在音频放大器中，RS1JT/R可用于前置放大级，提供稳定的信号放大功能；在数字电路中，它可以用作开关元件，控制负载的通断；此外，它还常用于电源管理电路、传感器接口电路以及LED驱动电路等。
　　由于其封装小巧、性能稳定，RS1JT/R特别适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。在工业控制领域，该晶体管也常用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路以及自动化设备中的信号处理模块。

2N3904, BC817