时间：2025/7/10 4:23:57
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MA0402CG3R9D160 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，采用增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）结构。该器件专为高频开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器和无线充电等领域。其封装形式为DFN8，具有低寄生电感和出色的散热性能。这款芯片在提高系统效率和减小整体尺寸方面表现出色。
型号：MA0402CG3R9D160
类型：GaN 功率晶体管
VDS（漏源电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：40mΩ
ID（连续漏极电流）：16A
Qg（栅极电荷）：65nC
Coss（输出电容）：100pF
VGS(th)（阈值电压）：1.5V
fSW（最大开关频率）：5MHz
封装：DFN8
MA0402CG3R9D160 拥有非常低的导通电阻和栅极电荷，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整个系统的效率。
由于采用了先进的GaN材料，该芯片能够在高频条件下保持高效工作，同时具备快速开关速度和低电磁干扰（EMI）。
其封装形式DFN8提供卓越的热管理和电气性能，同时支持表面贴装工艺以简化制造流程。
此外，MA0402CG3R9D160 的高击穿电压（650V）使其适用于多种高压应用场景，而其较低的输入电容则进一步减少了驱动功耗。
总体而言，这款芯片非常适合要求高效率、高密度和高性能的现代电力电子设备。
MA0402CG3R9D160 广泛应用于各类需要高频和高效工作的场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 快速充电适配器
- 无线充电发射端
- 工业电机驱动
- 光伏逆变器
- LED 驱动电路
由于其高效的性能和紧凑的设计，该芯片也常用于便携式电子设备的电源解决方案中。
MA0402CG3R9D150
MA0402CG3R9D170
