RS1G11XC6是一款基于硅工艺制造的高性能肖特基二极管。该器件具有低正向压降和快速反向恢复时间的特点,广泛应用于开关电源、逆变器以及其他高频电路中。其设计优化了热性能和电气性能,在高频率和高效率的应用场景下表现出色。
肖特基二极管因其独特的物理特性,避免了少数载流子存储效应,从而实现了非常快的开关速度,同时保持较低的功耗。RS1G11XC6采用TO-220封装形式,适合于较高电流负载需求的工业应用。
最大正向电流:1A
峰值反向电压:40V
正向电压降:0.55V(典型值,If=1A)
反向恢复时间:30ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
RS1G11XC6采用了先进的肖特基势垒技术,确保了其具备以下优异特性:
1. 低正向压降能够有效降低功耗,提升整体系统效率。
2. 快速的反向恢复时间使其非常适合高频应用环境。
3. 高温稳定性保证了在极端条件下仍能保持可靠的性能表现。
4. TO-220封装形式提供良好的散热能力,适用于大功率场景。
5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关电源中的整流与保护电路。
2. 电机驱动电路中的续流二极管。
3. 太阳能逆变器及各类高频DC-DC转换器。
4. 通信设备中的信号隔离与保护。
5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
RB1G11SC6, SS14, 1N5817