LH5116-15 时间：2025/8/28 8:34:22 阅读：13

LH5116-15是一款由美国国家半导体（National Semiconductor）推出的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为16K位（2K x 8），存取速度为150纳秒。该芯片采用高速双极型工艺制造，适用于需要快速数据存取的计算机和控制系统。LH5116-15封装形式通常为24引脚双列直插封装（DIP），并具备低功耗和高可靠性的特点。

参数

容量：16K位（2K x 8）
　　存取时间：150ns
　　电源电压：+5V
　　封装类型：24引脚DIP
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　芯片使能（CE）：低电平有效
　　输出使能（OE）：低电平有效
　　写使能（WE）：低电平有效

特性

LH5116-15 SRAM芯片具备高速数据存取能力，存取时间仅需150纳秒，适用于对响应时间要求较高的系统设计。其采用双极型技术制造，具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在标准工业温度范围内稳定运行。此外，该芯片支持TTL电平输入和输出，便于与各类数字系统集成。LH5116-15还具备低功耗设计，在保持高性能的同时减少了热量产生，提高了系统的整体可靠性。
　　该芯片具备完整的地址和数据接口，支持异步操作，适用于通用存储器扩展应用。其使能控制信号（CE、OE、WE）设计灵活，允许用户在复杂的系统中进行精确的时序控制。LH5116-15广泛用于早期的微型计算机、工业控制设备和嵌入式系统中，作为高速缓存或主存储器使用。

应用

LH5116-15主要应用于需要快速存储器访问的电子系统中，如早期的个人计算机、工业控制系统、通信设备和测试仪器。由于其高速度和稳定性，它常被用作CPU的高速缓存或程序存储器。此外，该芯片也适用于需要临时存储数据的场合，例如数据缓冲、图像处理和实时控制系统。在嵌入式系统设计中，LH5116-15可用于扩展微控制器的RAM资源，提高系统运行效率。