时间：2025/12/27 8:26:30
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UD4840G-S08-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术制造，具有出色的热性能、高开关速度以及低导通损耗等优点，适用于要求严苛的高效率功率转换应用。其封装形式为TO-247-3L，便于在大功率系统中进行安装和散热管理。作为一款无反向恢复电荷的肖特基二极管，UD4840G-S08-R能够显著减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率，并降低电磁干扰（EMI），非常适合用于高频工作环境下的电源设计。
该器件额定电压为800V，最大平均正向电流可达40A，具备良好的浪涌电流承受能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。此外，由于碳化硅材料本身的宽禁带特性，该二极管可在较高结温下长期工作（最高可达175°C），增强了系统的可靠性与耐久性。UD4840G-S08-R广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源及电信整流器等领域。
类型：SiC肖特基二极管
封装：TO-247-3L
重复峰值反向电压（VRRM）：800V
平均正向整流电流（IF(AV)）：40A
正向压降（VF）：典型值1.65V @ 20A, 25°C
最大结温（TJ）：175°C
反向漏电流（IR）：最大300μA @ 800V, 125°C
热阻（RθJC）：约1.2°C/W
无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
UD4840G-S08-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所实现的卓越电气性能。传统硅基P-N结二极管在高速开关过程中存在明显的反向恢复现象，即当器件从导通状态切换到截止状态时，会因少数载流子的复合而产生反向恢复电流和相应的能量损耗（Erec），这不仅降低了电源转换效率，还可能引发电压振荡和电磁干扰问题。而UD4840G-S08-R作为一款SiC肖特基二极管，利用金属-半导体势垒原理工作，几乎不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复电荷（Qrr）趋近于零，从根本上消除了反向恢复带来的开关损耗和噪声问题，使得它特别适合用于高频硬开关拓扑如LLC谐振变换器、图腾柱PFC电路等高效电源架构中。
此外，该器件具有较低的正向导通压降，在20A电流下典型值仅为1.65V，相较于同类硅快恢复二极管或传统SiC二极管进一步降低了导通损耗，有助于提高系统能效并减少散热需求。同时，其高达800V的阻断电压能力使其适用于通用AC输入范围（90–265V AC）下的桥式整流后级或升压PFC输出端续流/隔离应用。得益于SiC材料优异的热导率和击穿电场强度，UD4840G-S08-R可在高达175°C的结温下持续运行，表现出极强的热稳定性，适用于高温恶劣环境下的工业和车载设备。
另一个关键特性是其出色的动态可靠性。在反复的热循环和高dV/dt应力下，该器件仍能保持稳定的电气参数，避免了传统二极管常见的参数漂移或早期失效问题。其TO-247-3L封装设计提供了优良的机械强度和热传导路径，配合标准散热器即可实现高效散热，支持多管并联使用以满足更高电流需求。总体而言，UD4840G-S08-R通过结合SiC材料优势与优化的器件结构设计，在效率、可靠性和功率密度之间实现了理想平衡，是现代高功率密度电源系统中的优选整流元件。
UD4840G-S08-R被广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。常见用途包括：服务器电源和通信电源中的图腾柱无桥PFC电路，用于替代传统的硅基超快恢复二极管以提升效率；在太阳能光伏逆变器中作为直流链路的隔离二极管或MPPT升压级的续流元件，帮助实现更高的能量转换效率和更小的滤波器体积；在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中承担高频整流任务，支持双向功率流动设计；此外，也适用于工业电机驱动器中的续流保护、感应加热电源以及UPS不间断电源系统。由于其优异的高温性能和抗冲击能力，该器件同样适合部署于环境温度较高的密闭空间内，确保长时间稳定运行。
SCH2080A
