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RS1E280BNTB 发布时间 时间:2025/12/25 13:42:49 查看 阅读:17

RS1E280BNTB是一款由Richtek(立锜科技)生产的高性能直流-直流降压型电源管理芯片,主要用于将较高的输入电压高效地转换为较低的稳定输出电压。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,采用电流模式控制架构,具备快速的瞬态响应能力,适用于多种便携式设备、工业控制系统以及通信设备中的电源解决方案。RS1E280BNTB采用紧凑型封装,有助于节省PCB空间,并提高整体系统集成度。该芯片设计注重能效与稳定性,在轻载条件下支持脉冲频率调制(PFM)模式以降低静态功耗,同时在重载时自动切换至脉宽调制(PWM)模式,确保高效率输出。其内置过温保护、过流保护及输出短路保护等多种安全机制,提升了系统的可靠性与安全性。此外,该芯片支持宽范围输入电压,使其能够适应不同供电环境下的应用需求。

参数

工作输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大连续输出电流:2A
  开关频率:500kHz 典型值
  静态电流:典型值为30μA(关断模式下)
  工作效率:最高可达95%以上
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  过温保护阈值:约150°C(自动恢复)
  工作结温范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOT-23-6 或 DFN-8(依具体版本而定)
  关断电流:小于1μA(使能引脚拉低时)
  软启动时间:典型值为1ms(内部设定)

特性

RS1E280BNTB采用了先进的电流模式控制架构,使其具备出色的动态响应性能和环路稳定性。这种控制方式能够实时监测电感电流,并根据负载变化迅速调整占空比,从而有效抑制输出电压波动,尤其在负载突变或输入电压剧烈变化的情况下仍能保持良好的稳压效果。芯片内部集成了低导通电阻的上下桥臂MOSFET,减少了传导损耗,提升了整体转换效率。在轻载运行状态下,器件自动进入PFM模式,显著降低了开关活动和驱动损耗,使得待机功耗极低,非常适合对能效要求严苛的应用场景,如电池供电设备。
  为了增强系统的鲁棒性,RS1E280BNTB内置了多重保护机制。其中包括逐周期过流保护(OCP),可在每个开关周期内检测电流峰值,防止因短路或过载导致的损坏;输出短路保护功能在检测到异常低阻抗负载时会触发打嗝模式(hiccup mode),间歇性重启以限制平均功耗并尝试恢复正常工作;当芯片温度超过预设阈值时,内部热关断电路将立即切断输出,待温度下降后自动恢复运行,避免永久性损伤。
  该芯片还支持外部同步功能,允许用户将其开关频率锁定至外部时钟信号,便于系统EMI管理。此外,通过外部电阻分压网络可精确设定输出电压,灵活性高。EN使能引脚支持逻辑电平控制,实现远程开启/关闭电源输出,配合开漏PGOOD引脚可向主控MCU反馈电源状态,适用于需要电源排序或多路供电监控的复杂系统设计。整个芯片设计符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品的需求。

应用

RS1E280BNTB广泛应用于各类需要高效、小尺寸DC-DC降压转换的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品,如智能手表、TWS耳机充电盒、移动电源管理单元等,其中对体积和功耗有严格限制,该芯片的小封装和低静态电流特性尤为适用。在工业自动化领域,它可用于PLC模块、传感器供电、数据采集前端等子系统中,提供稳定可靠的低压电源。通信设备如光模块、小型基站接口板也常采用此类高效率同步整流方案来提升能效等级。
  此外,RS1E280BNTB适用于嵌入式处理器供电,例如为ARM Cortex-M系列微控制器、FPGA辅助电源轨或DSP核心供电。其快速瞬态响应能力可以满足数字电路在频繁启停或模式切换过程中对电源稳定性的高要求。在汽车电子次级应用中,如车载信息娱乐系统的外围电路、USB充电接口电源管理等方面也有潜在使用价值,前提是工作条件在其额定范围内。医疗仪器中的低噪声便携设备同样可以受益于其高效的能量转换特性,延长电池使用寿命。总体而言,任何需要将5V、9V或12V母线电压降至3.3V、2.5V、1.8V等常用逻辑电平的场合,都是RS1E280BNTB的理想应用场景。

替代型号

RT8207B
  APW7102
  XC9235
  MT3608
  SGM6607

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RS1E280BNTB参数

  • 现有数量84,960现货
  • 价格1 : ¥7.47000剪切带(CT)2,500 : ¥2.89278卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.3 毫欧 @ 28A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)94 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5100 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-HSOP
  • 封装/外壳8-PowerTDFN