时间：2025/11/8 7:57:02
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RS1E170GNTB是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于电源整流、开关电源以及DC-DC转换器等应用。该器件采用紧凑型表面贴装SOD-123FL封装，具有低正向电压降和快速开关特性，适合高效率、小体积的便携式电子设备设计。RS1E170GNTB的额定反向重复电压为170V，属于中高压范围的肖特基二极管，相较于传统硅整流二极管，其在高频工作条件下表现出更低的功耗和更高的转换效率。这款二极管符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费类电子产品及通信设备中的电源管理模块。由于采用了先进的芯片制造工艺，RS1E170GNTB在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，确保长期运行的安全性与稳定性。此外，其小型化封装有助于节省PCB布局空间，满足现代电子产品对轻薄化和高集成度的需求。
产品类型：肖特基二极管
配置：单个
反向重复电压（VRRM）：170V
平均整流电流（IO）：1A
正向压降（VF）：典型值850mV @ 1A
最大浪涌电流（IFSM）：30A
反向漏电流（IR）：最大值200μA @ 170V
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
热阻（RθJA）：约150°C/W
极性：单阳极阴极
湿度敏感等级（MSL）：1级（≤30°C/85%RH）
包装方式：卷带包装（Tape and Reel）
RS1E170GNTB的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑封装之间的平衡，使其成为多种电源转换场景下的理想选择。
首先，该器件采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成整流效应，从而显著降低了正向导通电压（VF），典型值仅为850mV，在1A电流下可有效减少功率损耗，提高系统整体能效。相比传统的PN结二极管，这种低VF特性特别适用于电池供电设备或需要长时间运行的低功耗系统，有助于延长续航时间并减少散热需求。
其次，RS1E170GNTB具备快速开关能力，反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，因此在高频开关电源（如DC-DC变换器、AC-DC适配器）中能够大幅降低开关损耗，避免因反向恢复电荷引起的电磁干扰问题，提升电路稳定性。
第三，尽管肖特基二极管通常受限于较低的耐压能力，但RS1E170GNTB实现了170V的反向重复电压，突破了传统SBD在高压应用中的瓶颈，扩展了其适用范围至更高输入电压的场合，例如120V或220V交流输入整流后的次级侧同步整流替代方案。
第四，SOD-123FL封装具有较小的外形尺寸（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），同时优化了热传导路径，提升了单位面积的散热能力，使得即使在较高环境温度下也能安全运行。该封装还支持自动化贴片生产，便于大规模制造，提高了组装效率和产品一致性。
最后，器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其在振动、湿热循环和温度冲击等严苛条件下的耐用性强，可用于车载充电器、LED照明驱动等对可靠性要求较高的领域。综合来看，RS1E170GNTB凭借其高效率、高可靠性和小尺寸特点，在现代电源设计中展现出强大的竞争力。
RS1E170GNTB广泛应用于各类中低功率电源系统中，尤其适合需要高效整流和快速响应的场合。
在消费类电子产品方面，它常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑的充电电路和DC-DC转换模块中，作为输出整流二极管使用，帮助实现小型化和高能效的设计目标。由于其低正向压降特性，能够在大电流输出时减少发热，提升用户体验。
在工业控制领域，该二极管可用于PLC电源模块、传感器供电单元和隔离式电源拓扑中，提供可靠的整流功能，尤其是在反激式（Flyback）或升压（Boost）转换器中表现优异。
此外，RS1E170GNTB也常见于LED照明驱动电源中，用于防止电流倒灌和提高电源效率，支持宽电压输入范围下的稳定工作。
在通信设备中，如路由器、交换机和光模块电源部分，该器件可用于低压直流配电系统的防反接保护和能量回馈路径控制。
另一个重要应用场景是太阳能充电控制器或USB PD快充适配器中的辅助电源整流环节，其中170V的耐压足以应对瞬态电压波动，保障系统安全。
此外，由于其具备良好的高温性能和长期稳定性，也可用于汽车电子系统中的车载充电器（OBC）、车身控制模块或车灯驱动电源中，满足汽车行业对元器件寿命和可靠性的严格要求。
总体而言，RS1E170GNTB凭借其高压耐受能力、高效率和小型封装，已成为众多嵌入式电源架构中的关键元件之一。
RB156VMM-40
SB120H-AU
MBR1100
SS1P17-13-F
B1100LSN
