H5TQ8G83AFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列,广泛应用于移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备中,以提供高速、低功耗的内存解决方案。该封装为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具备较高的集成度和紧凑的设计。
存储容量:8Gb
内存类型:LPDDR4 SDRAM
数据速率:3200Mbps
电压:1.1V(VDD)/ 1.8V(VDDQ)
封装类型:FBGA
引脚数量:134
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据宽度:8位
时钟频率:1600MHz
制造厂商:SK Hynix
H5TQ8G83AFR-H9C 具备多项先进特性,使其在高性能与低功耗应用中表现出色。首先,该芯片采用了LPDDR4标准,支持高达3200Mbps的数据传输速率,能够满足现代移动设备对高速内存的需求。其双倍数据速率架构允许在每个时钟周期内传输两次数据,从而显著提高数据吞吐量。
其次,该芯片的工作电压分别为1.1V(核心电压VDD)和1.8V(I/O电压VDDQ),相比前代LPDDR3,功耗显著降低,延长了电池供电设备的使用时间。此外,该芯片采用了FBGA封装技术,具有更小的体积和更高的封装密度,适用于空间受限的便携式电子产品。
为了确保稳定性和可靠性,H5TQ8G83AFR-H9C 支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,可在不丢失数据的情况下进入低功耗状态。它还具备温度补偿自刷新(TCSR)功能,以适应不同环境温度下的稳定运行。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和车载级应用环境。
该芯片的134个引脚设计支持高密度PCB布局,并具备良好的信号完整性,确保高速传输下的稳定性。其8位数据宽度设计使其适用于多通道内存架构,以进一步提升系统性能。
H5TQ8G83AFR-H9C 广泛应用于各类高性能移动设备和嵌入式系统中,包括高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、AR/VR头显设备、车载信息娱乐系统以及工业控制设备。由于其高速传输能力和低功耗特性,该芯片特别适合需要实时数据处理和图形渲染的应用场景,如游戏、高清视频播放和AI推理任务。
在移动设备中,该芯片可作为主内存(RAM)使用,为操作系统和应用程序提供快速的数据访问能力,提升整体系统响应速度和用户体验。在嵌入式系统中,H5TQ8G83AFR-H9C 可用于高性能计算模块、网络设备和边缘AI计算设备,以支持实时数据处理和缓存管理。
此外,该芯片的高可靠性和宽温工作范围也使其适用于汽车电子系统,如高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载导航系统和车载娱乐系统。其紧凑的封装形式也使其适用于需要小型化设计的无人机、机器人和物联网(IoT)设备。
H5TQ8G83AMR-H9C, H5TQ8G83EFR-H9C, H5TC8G63AMR-H9C