时间：2025/8/25 1:00:14
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RS1D-TR 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各类便携式电子设备中。RS1D-TR 采用紧凑型 SOT-23 封装，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于对空间和功耗有严格要求的应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：20V
栅源电压 Vgs：±8V
连续漏极电流 Id：100mA
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-23
RS1D-TR 是一款性能稳定的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻 Rds(on) 的特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其漏源电压额定值为 20V，栅源电压为 ±8V，确保了在低电压应用中的稳定性和安全性。该器件的最大连续漏极电流为 100mA，适用于小型负载开关和信号控制电路。
该 MOSFET 采用 SOT-23 小型封装，具备良好的热性能和空间利用率，非常适合用于便携式设备和高密度 PCB 设计。此外，RS1D-TR 的栅极驱动电压范围宽泛，可在 1.8V 至 8V 之间工作，支持与多种控制器和逻辑电平直接接口。
RS1D-TR 主要应用于低功率 DC-DC 转换器、电池供电设备中的负载开关、LED 驱动电路、逻辑电平控制、电源管理系统、便携式医疗设备、手持终端设备、传感器电路和小型电机控制电路等场景。由于其具备低导通电阻和小封装特性，特别适合用于对尺寸和功耗要求较高的设计中。
2N7002, BSS138, FDV301N, NTR1P02LT1G
