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N2DS25616CT-5T 发布时间 时间:2025/7/24 7:21:35 查看 阅读:9

N2DS25616CT-5T 是一款由 Alliance Semiconductor(现为 ISSI 的一部分)生产的 256K x 16 位的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高速工艺制造,适用于需要快速访问和高可靠性的应用场合。N2DS25616CT-5T 属于异步 SRAM,具有低功耗、高速访问时间等优点,广泛用于通信设备、工业控制、网络设备、嵌入式系统等领域。该器件采用 55 ns 的访问时间,适合高速缓存和数据缓冲等应用场景。

参数

容量:256K x 16 位
  电源电压:3.3V 或 5V(视具体型号而定)
  访问时间:55 ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 70°C)
  封装类型:TSOP 或其他表面贴装封装
  输入/输出电压电平:兼容 TTL 和 CMOS
  最大工作频率:约 18 MHz(由访问时间决定)
  功耗:典型值约 1.5W(视工作频率而定)
  控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
  数据宽度:16 位
  地址线数量:18 条(支持 256K 地址空间)

特性

N2DS25616CT-5T 是一款高性能异步 SRAM,具有高速访问能力和低功耗特性。其主要特性包括高速访问时间为 55 ns,能够满足大多数嵌入式系统和通信设备对快速数据存取的需求。芯片内部采用 CMOS 技术,使其在高速运行的同时保持较低的功耗水平,适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。
  该器件支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了系统设计。其地址线和数据线独立,支持全地址解码,确保数据的准确读写。N2DS25616CT-5T 提供了多种封装形式,适应不同的 PCB 设计需求,如 TSOP 封装适用于高密度表面贴装设计。
  此外,该芯片具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业和通信级别的应用环境。其控制信号包括 CE(片选)、OE(输出使能)和 WE(写使能),允许灵活的读写控制。该器件的 TTL/CMOS 兼容输入/输出接口使其能够与多种处理器和控制器兼容,提高了系统的互操作性和灵活性。

应用

N2DS25616CT-5T 主要应用于需要高速存储和低功耗特性的设备中。例如,在嵌入式系统中,它可以作为高速缓存或临时数据存储器,提升系统的运行效率。在通信设备中,该芯片可用于缓冲数据流或存储临时通信协议参数,适用于路由器、交换机和基站等设备。
  工业控制领域中,N2DS25616CT-5T 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和自动化控制系统中,作为程序或数据的临时存储单元。此外,该芯片也广泛应用于测试设备、测量仪器和图像处理设备中,用于实时数据缓存和处理。
  由于其良好的稳定性和可靠性,N2DS25616CT-5T 也常用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统和车身控制模块等,满足汽车工业对高可靠性存储器的需求。

替代型号

IS61LV25616-55BLLI、CY62148E-45ZSXI、IDT71V416SA55BGI、AS7C2561655BCTR、CY7C1380C-55BZC、IS64LV25616-55BLLI

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