类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：10A（连续）
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大耗散功率（PD）：62W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

IXZH10N50LA具有多个优良的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET具备较高的耐压能力（VDS为500V），能够适应高电压工作环境，确保电路运行的稳定性。
　　此外，IXZH10N50LA具有快速开关能力，降低了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电路。该器件的热阻较低，有利于散热，提高了器件在高功率负载下的可靠性。
　　IXZH10N50LA采用TO-220封装，结构坚固，易于安装和散热管理，适用于工业级工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在各种恶劣环境下稳定工作。该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。

IXZH10N50LA广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、电池充电器和照明镇流器等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
　　在电机控制和驱动电路中，IXZH10N50LA可作为主开关器件，实现高效的能量转换和精确的控制。同时，其快速开关特性也适用于高频PWM控制，提高系统的响应速度和稳定性。
　　此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、家用电器和汽车电子系统中的功率管理模块，提供高效的电能转换解决方案。

STP10NK50Z, FQA10N50, IRFP460, FDPF460