时间：2025/6/19 14:56:34
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H27U4G8F2DTR-BI 是一款由海力士（SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，主要用于存储数据。该型号属于MLC NAND Flash系列，采用先进的制程技术制造，具有高容量、高性能和低功耗的特点，适用于各种嵌入式系统和消费类电子产品中的数据存储需求。
该芯片支持标准的ONFI（Open NAND Flash Interface）协议，能够提供稳定的读写性能，并且具备纠错功能以确保数据的可靠性。
容量：4GB
接口类型：ONFI 3.1
工作电压：1.8V
封装形式：TSOP
页大小：8KB
块大小：512KB
擦写次数：3000次
数据保留时间：10年
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
H27U4G8F2DTR-BI 具备以下主要特性：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可提供4GB容量，适合需要大容量存储的应用场景。
2. 支持ONFI 3.1接口协议，能够实现快速的数据传输速率。
3. 采用MLC（多层单元）技术，在保证容量的同时降低了单位成本。
4. 内置ECC（Error Correction Code）引擎，可有效检测并纠正数据错误，提高数据可靠性。
5. 良好的耐久性和数据保留能力，即使在极端温度环境下也能保持稳定运行。
6. 封装形式为TSOP，便于焊接和集成到各种电路板中。
H27U4G8F2DTR-BI 主要应用于以下领域：
1. 嵌入式设备，如路由器、交换机和其他网络设备中的固件和数据存储。
2. 消费类电子产品，例如数码相机、媒体播放器和个人导航设备等的内部存储。
3. 工业控制设备，用于存储配置信息、日志文件或其他重要数据。
4. 固态硬盘（SSD）以及其他存储模块中作为核心存储介质。
5. 物联网（IoT）设备，为传感器节点或网关设备提供可靠的本地存储解决方案。
H27U4G8F2BTR-B0C
H27U4G8F2ATR-K0E
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