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RS-06K180JT 发布时间 时间:2025/5/22 14:48:25 查看 阅读:2

RS-06K180JT 是一款基于硅技术的高频功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力转换场景。该型号具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够在高频条件下保持较高的效率。
  RS-06K180JT 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,能够提供良好的散热性能。其主要特点是能够在较宽的工作电压范围内实现低损耗操作,适用于需要高性能功率管理的应用。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:50nC
  总功耗:200W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

RS-06K180JT 的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压:高达 600V 的耐压能力使其适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻:0.18Ω 的 Rds(on) 可以显著降低导通损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷设计减少了开关损耗,提升了器件在高频条件下的表现。
  4. 高可靠性:通过严格的制造工艺控制,确保产品在极端温度和高负载条件下的稳定运行。
  5. 热稳定性:优化的封装设计和热管理使得器件能够在高温环境下持续工作。

应用

RS-06K180JT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):适用于各种类型的 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和其他电机控制系统,支持高效率和精确的速度调节。
  3. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中作为关键功率器件,提升能量转换效率。
  4. 工业自动化设备:如伺服控制器、变频器等,满足工业级高可靠性和高性能需求。
  5. 汽车电子:应用于车载充电器、DC-DC 转换器等汽车电气系统中。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF50
  FDP5700
  IXYS IXFN180N60T2

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