TT50F13KFB 时间：2025/8/23 10:20:46 阅读：13

TT50F13KFB 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大漏-源电压：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（典型值）
　　栅极电荷：78nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

TT50F13KFB的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗，提高效率；其高电流承载能力（50A）和耐压能力（100V）使其适用于多种高功率应用。该器件采用了东芝专有的U-MOS技术，提供快速开关性能和优异的热稳定性。
　　此外，TT50F13KFB具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高系统效率。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在高应力条件下保持稳定运行。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，适用于工业级工作温度范围（-55°C至175°C），确保在各种环境条件下稳定工作。
　　该器件还具备优异的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景，如电源模块、电机驱动和工业自动化系统。TT50F13KFB的设计考虑了高能效和长寿命，是替代传统双极型晶体管（BJT）的理想选择，尤其适用于高频开关环境。

应用

TT50F13KFB广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制电路、负载开关、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高效率特性，它也常用于高功率LED驱动、电池充电系统以及新能源应用中的功率管理模块。
　　在汽车电子领域，TT50F13KFB可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）控制器和车载逆变器。其优异的热稳定性和抗应力能力，使其在高温环境下仍能保持良好性能，适用于各种恶劣工作条件下的电源管理应用。