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IXTR20P50P 发布时间 时间:2024/9/6 14:39:04 查看 阅读:474

技术参数

耗散功率:190W(Tc)
  漏源极电压(Vds):500 V
  输入电容(Ciss):5120pF 25V(Vds)
  耗散功率(Max):190W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  封装:TO-247-3

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

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IXTR20P50P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C490 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs103nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5120pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件