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RRH075P03TB1 发布时间 时间:2025/12/25 12:03:49 查看 阅读:26

RRH075P03TB1是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的高性能功率MOSFET器件,专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的沟槽式场截止(Trench Field-Stop)技术,具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度以及优异的热稳定性。其封装形式为小型化表面贴装器件(SMD),适用于空间受限但对功率密度要求较高的应用场景。RRH075P03TB1属于P沟道MOSFET,具有负的阈值电压特性,适合在低压直流系统中作为负载开关、电机驱动或同步整流使用。由于其优化的寄生参数设计,能够有效减少开关损耗并提升整体能效,在工业控制、消费电子、通信设备及便携式电源系统中表现出色。此外,该器件通过了AEC-Q101车规级认证,表明其具备良好的可靠性与耐久性,能够在严苛的工作环境中长期稳定运行,因此也广泛应用于汽车电子系统如车载充电器、DC-DC转换器和电池管理系统中。
  RRH075P03TB1的制造工艺融合了瑞萨在功率半导体领域的多年积累,确保了产品的一致性和良品率。其结构设计有效降低了漏电流和栅极电荷,提升了动态响应能力,同时增强了抗雪崩能力和静电放电(ESD)防护性能。这些特点使得该器件不仅满足现代绿色能源标准,还支持高频开关操作,有助于减小外围滤波元件的尺寸,从而实现更紧凑的电源模块设计。

参数

型号:RRH075P03TB1
  类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-30V
  最大连续漏极电流(ID):-7.5A
  导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ @ VGS = -10V, 8.5mΩ @ VGS = -4.5V
  栅极阈值电压(VGS(th)):-1.0V ~ -2.5V
  输入电容(Ciss):约1600pF
  输出电容(Coss):约450pF
  反向恢复时间(trr):典型值50ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  安装方式:表面贴装
  符合RoHS指令:是
  车规级认证:AEC-Q101

特性

RRH075P03TB1采用了瑞萨独有的沟槽式场截止技术,这种先进制程显著降低了器件的导通电阻与开关损耗,使其在同类P沟道MOSFET中具备出色的能效表现。其低RDS(on)特性意味着在相同电流下产生的焦耳热更少,从而提高了系统的整体热效率,并减少了散热设计的复杂度。该器件的栅极氧化层经过优化处理,具备更高的击穿电压裕量和更强的抗干扰能力,可在瞬态电压波动较大的电路环境中保持稳定工作。此外,其较低的栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qgd)使得驱动电路所需功耗更低,特别适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
  另一个关键优势在于其优异的热稳定性。RRH075P03TB1的热阻(Rth(j-c))经过优化设计,可在高负载条件下迅速将热量传导至PCB或散热片,避免局部过热导致性能下降或器件损坏。该器件还具备良好的抗雪崩能量能力,能够在意外过压事件中吸收一定能量而不发生永久性失效,提升了系统安全性。其反向体二极管具有较快的反向恢复时间,减少了在感性负载切换过程中的反向电流尖峰,从而降低电磁干扰(EMI)水平,有利于满足EMC合规性要求。
  此外,RRH075P03TB1通过AEC-Q101认证,表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感性等可靠性测试中均达到汽车行业标准。这意味着它不仅适用于工业环境,还能在剧烈振动、宽温变化和高湿环境下可靠运行。其TO-252封装形式具备良好的机械强度和焊接可靠性,便于自动化生产装配,且引脚布局兼容性强,易于替换其他厂商同封装产品。综合来看,RRH075P03TB1是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET,适用于多种中等功率开关应用。

应用

RRH075P03TB1广泛应用于各类需要高效、可靠功率控制的电子系统中。在工业领域,常用于PLC控制器、伺服驱动器、直流电机控制模块以及工业电源的同步整流电路中,凭借其低导通损耗和快速响应能力,有效提升设备能效与响应速度。在消费电子产品中,该器件可用于笔记本电脑适配器、USB-PD快充模块、智能家电的电源管理单元,作为主开关或背靠背配置中的高端开关,实现高效的能量传输与待机功耗控制。
  在通信基础设施方面,RRH075P03TB1被用于基站电源、光模块供电电路以及网络交换机的DC-DC转换器中,支持高频开关拓扑如半桥、全桥或同步降压结构,帮助缩小磁性元件体积并提高功率密度。尤其在48V转12V中间总线架构中,该器件可作为同步整流管使用,显著降低传导损耗。
  汽车电子是其另一重要应用方向。得益于AEC-Q101认证,RRH075P03TB1可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、电动座椅/车窗控制、电池管理系统(BMS)中的充放电开关等场景。在新能源汽车中,还可用于OBC(车载充电机)辅助电源或DC-DC变换器次级侧同步整流,提升整车能效。此外,因其具备较强的抗干扰能力和温度适应性,也能胜任恶劣工况下的长期运行需求。

替代型号

RHRH075P03TB1
  RH075P03T
  SI7850DP-T1-E3
  AO4427
  FDN360P

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RRH075P03TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RRH075P03TB1TR