时间：2025/12/25 12:07:52
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RRH050P03TB1是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点，适用于多种工业、消费类及通信设备中的DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及电源路径控制等场景。其封装形式为小型化且具有良好散热性能的PowerPAK SO-8封装，有助于在空间受限的应用中实现紧凑布局。RRH050P03TB1特别针对低电压应用进行了优化，在4.5V至20V的栅极驱动条件下表现出色，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适合用于对长期稳定性和安全性要求较高的电子系统中。
作为一款P沟道MOSFET，RRH050P03TB1在上桥臂开关或高端开关配置中具有天然优势，无需复杂的自举电路即可实现栅极驱动，从而简化了电路设计并降低了成本。它能在恶劣的工作环境下保持稳定的电气特性，具备良好的抗雪崩能力和过温保护潜力，适合用于车载电子、便携式设备电源管理和工业控制模块等领域。通过精确的工艺控制和严格的品质检测流程，RRH050P03TB1确保了批次间的一致性与长期供货能力，是现代高效能电源系统中理想的开关元件之一。
型号：RRH050P03TB1
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDSS)：-30V
最大栅源电压(VGSS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-5A
脉冲漏极电流(IDM)：-15A
导通电阻(RDS(on))：5.0mΩ @ VGS = -10V
导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ @ VGS = -4.5V
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：1700pF @ VDS = 15V
输出电容(Coss)：680pF @ VDS = 15V
反向恢复时间(trr)：30ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
安装方式：表面贴装(SMD)
RRH050P03TB1采用了先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构能够在单位面积内提供更高的沟道密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提高器件的电流承载能力。其典型的RDS(on)仅为5.0mΩ（在VGS = -10V时），这使得在大电流应用场景下功耗极低，有助于提升整个系统的能源效率。低导通电阻还意味着更小的发热，减少了对外部散热措施的需求，有利于实现小型化和轻量化设计。此外，该器件在VGS = -4.5V时仍能保持6.5mΩ的低RDS(on)，表明其在低压驱动条件下依然具备出色的性能表现，非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场合。
该MOSFET具备快速的开关响应能力，输入电容Ciss为1700pF，输出电容Coss为680pF，在高频开关电源中可有效减少开关损耗，提升转换效率。同时，其反向恢复时间trr仅为30ns，说明体二极管的恢复特性优良，能有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，提升系统稳定性。器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，确保了可靠的关断与开启控制，避免误触发问题。
RRH050P03TB1采用PowerPAK SO-8封装，该封装具有优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的散热焊盘将热量迅速导出，进一步增强散热效果。该封装尺寸小巧（约5mm x 6mm），适用于高密度PCB布局，广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机充电管理、DC-DC同步整流、电机驱动和LED驱动电源等对空间和效率双重要求的领域。此外，器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，具备良好的抗湿气、抗振动和耐高温能力，可用于部分车载电子系统中。其-55°C至+150°C的工作结温范围也保证了在极端环境下的稳定运行。
RRH050P03TB1广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中，典型用途包括同步降压变换器中的高端开关、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备的电源管理单元、热插拔控制器、逆变器和H桥驱动电路等。由于其P沟道特性，特别适合用作高端侧开关，无需额外的自举电路即可实现栅极驱动，从而简化电源设计并降低成本。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常用于主电源路径控制或多电源切换管理，以实现低静态功耗和快速响应。在工业控制系统中，可用于继电器替代、电机控制和传感器供电开关。此外，在通信基础设施设备如基站电源模块中，RRH050P03TB1也可作为辅助电源的整流或开关元件，提供高可靠性和长寿命支持。
SiHPX30P03ED-T1-E3
