时间：2025/12/25 11:12:57
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RQ3G100GNTB是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的Trench栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和优化的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备以及负载开关等应用场景。其封装形式为SOP-8（表面贴装），具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的PCB设计中使用。
RQ3G100GNTB的最大漏源电压（VDS）为30V，连续漏极电流（ID）可达11.2A，适用于中等功率级别的电源系统。该MOSFET在4.5V的栅极驱动电压下可实现极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，适合工业级工作温度范围内的稳定运行。
型号：RQ3G100GNTB
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：11.2A
脉冲漏极电流（IDM）：45A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：7.6mΩ（最大值）
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：9.7mΩ（最大值）
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：1200pF @ VDS=15V
输出电容（Coss）：450pF @ VDS=15V
反向恢复时间（trr）：25ns
最大功耗（PD）：2.3W @ TA=25°C
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8
RQ3G100GNTB采用ROHM先进的Trench结构技术，实现了超低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一是在低栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持非常低的RDS(on)，这使其非常适合用于由锂电池或3.3V/5V逻辑信号直接驱动的应用场景，例如便携式电子设备中的负载开关或同步整流电路。这种低电压驱动能力不仅提升了系统的兼容性，还减少了对外部驱动电路的需求，简化了设计复杂度。
该器件具有出色的热稳定性与电流处理能力，在高温环境下仍能维持可靠的导通特性。得益于优化的芯片布局与SOP-8封装的散热设计，RQ3G100GNTB能够在有限的空间内有效散发工作时产生的热量，从而延长使用寿命并提升系统安全性。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）显著降低了开关过程中的驱动损耗，提高了高频工作的效率，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。
在可靠性方面，RQ3G100GNTB具备较强的抗雪崩能量能力，能够承受一定的过压冲击，增强了在异常工况下的鲁棒性。此外，器件内部无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色电子产品制造。其严格的生产测试流程确保了批次间的一致性和长期使用的稳定性，广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备及汽车电子辅助系统等领域。
RQ3G100GNTB广泛应用于需要高效能、小体积功率开关的各种电子系统中。典型应用包括但不限于：同步降压变换器（Buck Converter）中的主开关或同步整流管，因其低RDS(on)可显著减少导通损耗，提升转换效率；在升压变换器（Boost Converter）或SEPIC拓扑中作为功率开关元件，支持宽输入电压范围下的稳定输出调节。
该器件也常用于电池供电设备中的电源路径管理与负载开关功能，例如智能手机、平板电脑、移动电源等产品中用于控制不同模块的供电通断，利用其快速开关响应和低静态功耗实现节能设计。此外，在电机驱动电路中，RQ3G100GNTB可用于H桥或半桥配置中驱动小型直流电机或步进电机，提供足够的电流承载能力和良好的热管理性能。
在工业自动化设备、LED驱动电源、USB PD充电器、DC-DC模块电源以及服务器电源管理系统中，该MOSFET同样表现出色。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，适合大规模量产。由于具备良好的EMI抑制特性和稳定的开关行为，RQ3G100GNTB也能满足对电磁兼容性要求较高的应用场景。
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"RQ3E030ATNH",
"DMG3415U",
"SISS10DN"
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