时间：2025/11/8 1:14:37
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RQ3E100MN是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场板技术制造，以实现低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，同时在高温环境下仍能保持稳定的工作特性。RQ3E100MN适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机驱动等应用场景。其封装形式为小型表面贴装功率封装（例如HSOP8或类似封装），有助于减少PCB占用空间并提升功率密度。该MOSFET具有良好的热性能和电流处理能力，能够在较宽的温度范围内可靠运行，适合工业控制、消费类电子及通信设备中的中低功率电源管理需求。此外，RQ3E100MN符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化生产流程。通过优化栅极电荷与导通损耗之间的平衡，该器件在高频开关条件下仍可维持较高的系统效率，是现代高效能电源设计的理想选择之一。
型号：RQ3E100MN
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
连续漏极电流(ID)：50A
脉冲漏极电流(IDM)：200A
导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS=4.5V
栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
栅极电荷(Qg)：40nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：2800pF @ VDS=50V
反向恢复时间(trr)：30ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：HSOP-8
安装类型：表面贴装
RQ3E100MN具备卓越的电气特性和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻与高效的开关表现。该器件的典型RDS(on)仅为6.5mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了整体系统的能效。即使在较低的驱动电压下（如4.5V），其RDS(on)仍可保持在8.5mΩ以内，使其兼容于3.3V或5V逻辑电平控制的栅极驱动器，增强了系统设计的灵活性。得益于先进的沟槽栅极技术和优化的芯片结构，RQ3E100MN实现了较低的栅极电荷（Qg=40nC），有效减少了开关过程中的驱动损耗，并支持更高频率的PWM操作，适用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
此外，该MOSFET具有出色的热性能，结合HSOP-8封装的高效散热设计，可在高功率密度环境下稳定运行。其最大结温可达150°C，确保在严苛工况下的可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=30ns），有助于降低换流过程中的能量损耗和电压尖峰，尤其在桥式拓扑中表现出色。RQ3E100MN还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，提升了在突发负载或短路情况下的鲁棒性。所有材料均符合RoHS标准，支持回流焊工艺，适用于现代化自动贴片生产线。总体而言，RQ3E100MN是一款集高性能、高可靠性与环保特性于一体的功率MOSFET，广泛适用于对效率和空间要求较高的电源系统设计。
RQ3E100MN广泛应用于各类中高功率电源管理系统中，尤其适合需要高效能和紧凑布局的设计场景。典型应用包括服务器和通信设备中的多相降压转换器（Buck Converter），用于CPU或GPU供电的VRM模块，其中多个RQ3E100MN并联使用可提供高达数十安培的输出电流，同时保持低损耗和良好热分布。它也常用于工业电源、嵌入式电源模块和DC-DC中间母线转换器中，作为主开关或同步整流开关使用。在电池供电系统如便携式医疗设备、电动工具和无人机电源管理单元中，该器件凭借其低导通电阻和快速响应特性，有助于延长电池续航时间。此外，在电机驱动器、H桥功率级和LED恒流驱动电源中，RQ3E100MN能够承受频繁的开关动作和瞬态电流冲击，确保系统长期稳定运行。由于其良好的高频特性，也被用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关，提升交流-直流转换效率。总之，凡是需要高效率、高电流密度和可靠性的电力电子场合，RQ3E100MN都是一个极具竞争力的选择。
RJK0630DPA
IPD95R1K0P
