FDD5N53TM 时间：2025/8/25 5:06:39 阅读：5

FDD5N53TM 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率开关应用而设计，具备低导通电阻、高电流容量和优良的热性能。FDD5N53TM 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于需要紧凑布局和高效能的电源管理场合，如 DC-DC 转换器、电机控制器、负载开关和电池管理系统等。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，适合与多种控制器或驱动 IC 配合使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id：5A
　　导通电阻 Rds(on)：1.8Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2V ~ 4V
　　最大栅极电压 Vgs：±20V
　　功耗 PD：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

FDD5N53TM 具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻 Rds(on) 为 1.8Ω，在 Vgs=10V 时能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这一特性对于高频开关应用尤为重要，因为它有助于减少功率损耗并提升整体能效。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 500V，漏极电流额定值为 5A，使其适用于中高压功率转换系统。此外，其宽栅极电压范围（±20V）允许灵活的驱动电路设计，并增强了对过压和瞬态电压的容忍能力。
　　在热管理方面，TO-252 封装提供了良好的热传导性能，支持在高功率密度设计中有效散热。该器件的工作温度范围广泛（-55°C 至 150°C），可在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　另外，FDD5N53TM 还具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。其内在的体二极管也支持在感性负载切换时提供续流路径，增强了电路的可靠性和稳定性。

应用

FDD5N53TM 广泛应用于多种功率电子系统中，包括 AC-DC 和 DC-DC 开关电源、电机驱动器、LED 照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的负载开关控制。由于其高耐压和中等电流能力，它也常用于家电控制电路和智能电表中的功率调节模块。此外，该器件在太阳能逆变器和储能系统中可用作高效率的功率开关元件。