时间：2025/6/19 4:23:49
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FS31X223K631EEG 是一款高性能的 MOSFET 功率开关芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业自动化领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特性，能够显著提高系统的效率与可靠性。同时，其内置多重保护功能，如过流保护（OCP）、过温保护（OTP）等，确保在复杂工作环境下的稳定运行。
FS31X223K631EEG 以 SMD 封装形式提供，支持表面贴装技术，便于大规模生产及自动化装配。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.04Ω
栅极电荷：95nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-3
1. 高耐压能力，最大漏源电压达到650V，适合高压应用场合。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为0.04Ω，减少功率损耗并提升整体效率。
3. 快速开关性能，开关频率可达100kHz以上，适用于高频电路设计。
4. 内置全面的保护机制，包括过流保护、短路保护和热关断功能，提高了系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 封装形式为 TO-247-3，具有良好的散热性能和机械稳定性。
FS31X223K631EEG 主要用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动器的逆变桥臂组件。
3. 新能源汽车的车载充电器（OBC）和 DC/DC 转换器。
4. 太阳能微逆变器及其他可再生能源设备。
5. 各类需要高效功率转换的应用领域。
IRFP260N, FDP18N65C3
