型号：RQ3E100BNTB
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：100A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：400A
　　导通电阻(Rds(on))：最大7.5mΩ @ Vgs=10V, Id=50A
　　栅极阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约10600pF @ Vds=50V, f=1MHz
　　反向恢复时间(trr)：典型值35ns
　　功耗(Pd)：320W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263BL (D2PAK)
　　安装类型：表面贴装(SMT)

RQ3E100BNTB的核心特性之一是其超低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下，最大仅为7.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流应用场景，如服务器电源、电动工具和车载逆变器。该低Rds(on)得益于ROHM独有的Trench MOSFET工艺，通过优化沟道密度和降低JFET区域电阻来实现性能提升。此外，该器件在高温下仍能保持良好的导通特性，Rds(on)随温度的变化率较低，有助于维持系统效率的稳定性。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。由于输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化设计，配合较低的栅极电荷（Qg），使得RQ3E100BNTB能够实现快速的开关响应，减少开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源尤为重要，可以有效提高转换效率并减小外围滤波元件的尺寸。同时，体二极管的反向恢复时间较短（典型35ns），减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。
　　热管理方面，TO-263BL封装具备较大的散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底部铜箔，实现高效散热。该封装的热阻Rth(j-c)（结到外壳）仅为0.39°C/W，结合适当的PCB布局设计，可支持高达320W的功耗耗散能力。此外，器件内部结构经过可靠性强化处理，具备出色的抗浪涌能力和抗热疲劳性能，能够在反复启停或负载突变的工况下长期稳定运行。
　　安全性方面，RQ3E100BNTB内置的栅氧层具有高介电强度，能承受超过额定VDS的瞬时电压冲击，且通过了严格的HTRB（高温反向偏压）和ACLT（加速气候寿命测试）验证。其符合AEC-Q101标准，意味着在汽车级温度范围和振动环境下仍能保持功能完整性，适用于引擎舱内的电源模块或ADAS系统供电单元。

RQ3E100BNTB广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在汽车电子领域，它常用于车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压转换器、电动助力转向（EPS）系统的电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）中的主动均衡开关。其车规级认证使其成为新能源汽车电源架构中的理想选择。
　　在工业控制方面，该器件适用于伺服驱动器、PLC输出模块、UPS不间断电源以及太阳能微型逆变器等设备。由于其高电流承载能力和快速响应特性，非常适合用于脉宽调制（PWM）控制的电机驱动桥臂开关，提供精确的转矩控制和能量回馈路径。
　　消费类电子产品中，RQ3E100BNTB可用于高性能笔记本电脑的VRM（电压调节模块）、游戏主机电源模块以及大功率LED照明驱动电路。其表面贴装封装便于自动化生产，同时支持紧凑型设计，满足现代便携设备对小型化和轻量化的追求。
　　此外，在通信基础设施中，如基站电源、光模块供电单元和网络交换机的PoE（以太网供电）接口中，该MOSFET也发挥着重要作用。其低噪声特性和稳定的开关行为有助于维持信号链的纯净度，减少对敏感射频电路的干扰。总之，RQ3E100BNTB凭借其综合性能优势，已成为多领域高端电源解决方案的关键组件之一。

RJK03B10DP
　　IPB036N10N3 G
　　STP100N10F7
　　FDN360P