型号：VTP175F
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-6A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-24A
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -1.6V
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@VGS=-10V）
　　输入电容（Ciss）：590pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：290pF（@VDS=-10V）
　　反向恢复时间（trr）：未适用（体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装方式：表面贴装（SMD）

VTP175F采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使得器件在低电压驱动条件下仍能实现优异的导通性能。其典型的RDS(on)仅为20mΩ（在VGS = -4.5V时），这意味着在大电流应用中能够有效减少功率损耗和发热，提升系统能效。该器件支持逻辑电平驱动，在-2.5V至-4.5V的栅极电压下即可完全导通，兼容现代微控制器和数字逻辑输出，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并节省了外围元件成本。此外，较低的栅极电荷（Qg = 13nC）有助于降低驱动功耗，特别适合高频开关应用，如同步整流和DC-DC降压变换器。
　　VTP175F的PowerPAK SO-8L封装采用了无引线设计，具有极低的热阻（典型θJA约为62°C/W），确保了良好的散热性能，即使在高负载条件下也能维持稳定的工作温度。该封装还减少了寄生电感和电阻，提升了高频响应能力和抗噪声干扰能力。器件内部结构经过优化，具备较强的抗静电放电（ESD）能力，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，保证了长期运行的稳定性与耐用性。
　　作为一款P沟道MOSFET，VTP175F在高端开关应用中表现出色，尤其适用于电池供电系统的电源通断控制。相比N沟道MOSFET，它在高端配置中无需复杂的自举电路，简化了驱动设计。同时，其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不推荐用于快速续流场合，但在一般负载切换过程中表现可靠。该器件符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求（视具体批次而定），可用于对可靠性要求较高的工业和车载环境。综合来看，VTP175F凭借其低RDS(on)、逻辑电平兼容性、优良热性能和高可靠性，成为众多中小型功率电源管理方案中的理想选择。

VTP175F广泛应用于多种电源管理场景，尤其适合需要高效、紧凑设计的便携式电子设备和工业控制系统。其主要用途包括锂电池供电设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、移动电源等产品中用于控制电池与主系统的连接与断开，实现待机节能和过流保护功能。在这些应用中，VTP175F的低导通电阻有助于减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　该器件也常用于DC-DC转换器的同步整流部分，特别是在降压（Buck）拓扑中作为高端开关使用。由于其支持逻辑电平驱动且无需自举电路，可以简化电源模块的设计，降低整体成本和PCB面积。此外，在热插拔电路和负载开关模块中，VTP175F能够提供快速响应和稳定的电流控制，防止启动时的浪涌电流损坏后级电路。
　　在电机驱动、LED驱动电源以及各类嵌入式系统中，VTP175F可用于电源路径管理，实现多电源之间的切换或冗余供电控制。其良好的热稳定性和抗干扰能力使其适用于工业自动化设备、网络通信模块和传感器供电单元。同时，由于其符合RoHS标准且不含铅，满足现代电子产品环保法规要求，因此也被广泛应用于消费类电子产品出口市场。总之，凡是在-20V以下电压范围内需要高效率、小尺寸P沟道MOSFET的应用，VTP175F都是一个可靠且高效的解决方案。

Si7681DP-T1-GE3
　　AO4479
　　FDS6680A
　　NVMFS4C02NL