时间：2025/11/8 6:08:41
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RQ3E070BNTB是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和开关应用设计。该器件采用紧凑型封装，适用于空间受限的高密度电子设备。其主要特点包括低导通电阻、优异的热性能以及高可靠性，能够在高频开关条件下保持较低的传导损耗和开关损耗。RQ3E070BNTB广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及便携式电子产品中的电源管理模块。该MOSFET经过优化，能够在宽温度范围内稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。此外，器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子制造流程。通过合理的设计与散热管理，RQ3E070BNTB可实现高效能与小型化的平衡，是中低功率电源系统中的理想选择之一。
型号：RQ3E070BNTB
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：18A（@Tc=25°C）
脉冲漏极电流(IDM)：72A
导通电阻(RDS(on))：7.0mΩ（@VGS=10V, ID=9A）
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ（@VGS=4.5V, ID=9A）
阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：1200pF（@VDS=15V）
输出电容(Coss)：450pF（@VDS=15V）
反向恢复时间(trr)：15ns
功耗(PD)：2.5W（@Tc=25°C）
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：HSON-8(MLP)
安装类型：表面贴装(SMT)
RQ3E070BNTB具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为7.0mΩ，显著降低了大电流下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这一特性使其非常适合用于高频率开关电源中作为主开关或同步整流器件，有效减少发热并提升转换效率。器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，从而实现了更低的导通阻抗和更高的电流密度。同时，其栅极结构经过精细设计，确保了良好的开关响应速度和抗噪声能力，在高速开关过程中能够有效抑制振铃现象，降低电磁干扰（EMI）。
该MOSFET具有较高的输入阻抗和快速的开关速度，输入电容Ciss为1200pF，在高频应用中表现出良好的动态响应能力。其输出电容Coss为450pF，有助于减小关断期间的能量损耗。反向恢复时间trr仅为15ns，配合体二极管的优良特性，可在同步整流等应用中实现高效的能量回馈，避免反向电流带来的额外损耗。此外，器件的阈值电压Vth典型值为1.5V，支持逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V控制信号，便于与各种PWM控制器或微处理器接口直接连接，简化了驱动电路设计。
在热管理方面，RQ3E070BNTB采用HSON-8封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，极大提升了散热效率。该封装还具备较小的寄生电感，有利于高频操作下的稳定性。器件额定结温高达+150°C，并支持-55°C至+150°C的工作温度范围，适应恶劣环境下的长期运行。所有参数均经过严格测试，保证批次一致性，适用于自动化贴片生产线。此外，产品符合AEC-Q101车规可靠性标准的部分要求，具备一定的汽车电子应用潜力，尤其适用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块。
RQ3E070BNTB广泛应用于多种中低功率电源转换场景。典型应用包括同步降压变换器（Buck Converter），在该拓扑中作为下管进行同步整流，利用其低RDS(on)特性显著提高效率，减少散热需求；也可用于升压变换器（Boost Converter）或半桥/全桥拓扑中的开关元件。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，该器件常被用于电池供电的DC-DC转换模块，实现稳定的电压调节与高效能量传输。此外，它还可作为负载开关控制外设电源的通断，提供快速响应和低静态功耗。在电机驱动电路中，RQ3E070BNTB可用于H桥结构中的低端驱动，实现对小型直流电机或步进电机的精确控制。由于其良好的热性能和紧凑尺寸，也适用于LED驱动电源、USB PD快充适配器、无线充电发射端以及工业传感器供电单元。在通信设备中，可用于FPGA或ASIC的核电源管理，提供瞬态响应快、纹波小的供电方案。得益于其高可靠性和稳定性，该器件同样适用于工业自动化、医疗电子及智能家居控制板等对安全性要求较高的场合。
RJK03B7DPB
RTH030AN03TRPM
SiSS066DN-T1-GE3
AOZ5233EQI-07
