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H5PS1G83EFR_S6C 发布时间 时间:2025/9/1 13:56:05 查看 阅读:5

H5PS1G83EFR_S6C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于GDDR5 SDRAM(图形双倍数据速率第五代同步动态随机存取存储器)系列。该芯片专为图形处理和高性能计算应用设计,广泛用于显卡、游戏机、工作站以及其他需要高带宽内存的设备中。H5PS1G83EFR_S6C 的设计支持高速数据传输和低功耗运行,使其在现代高性能计算和图形渲染领域中具有重要的地位。

参数

容量:1 Gb(128 MB)
  数据总线宽度:8位
  电压:1.5V(VDD)/ 1.35V(VDDQ)
  时钟频率:最大支持800 MHz
  数据速率:1600 Mbps(GDDR5-1600)
  封装类型:144-ball FBGA
  工作温度:商业级(0°C 至 85°C)
  接口标准:GDDR5 SDRAM

特性

H5PS1G83EFR_S6C 作为一款GDDR5 SDRAM芯片,具有多项先进的技术特性。首先,它采用了双倍数据速率(DDR)技术,能够在每个时钟周期传输两次数据,从而显著提高了数据带宽。其数据速率高达1600 Mbps,使得内存的传输速度远高于传统的DDR SDRAM,满足了高性能图形处理的需求。
  其次,该芯片采用了低电压设计,核心电压为1.5V,I/O电压为1.35V,相较于前代产品,功耗更低,有助于提升系统的能效比。此外,H5PS1G83EFR_S6C 还支持温度补偿自刷新(TCSR)功能,能够根据环境温度自动调整刷新率,从而减少不必要的功耗,提高系统的稳定性。
  在封装方面,H5PS1G83EFR_S6C 采用144-ball FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装工艺,具有良好的散热性能和更高的封装密度,适用于高密度PCB布局。该封装形式也有助于降低信号干扰,提高高频操作的稳定性。
  此外,该芯片支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,以适应不同的应用场景。其内部还集成了模式寄存器(Mode Register),允许用户根据具体需求配置操作模式,如突发长度、CAS延迟、写入校正等参数,从而实现更灵活的内存控制。

应用

H5PS1G83EFR_S6C 主要用于高性能图形处理系统,例如独立显卡(GPU)、游戏主机(如PlayStation、Xbox)、高端PC显卡、嵌入式视觉系统以及需要高速图形内存的工业设备。由于其高带宽和低延迟的特性,该芯片在3D图形渲染、视频处理、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等场景中表现出色。
  在游戏和图形应用中,H5PS1G83EFR_S6C 提供了足够的带宽来支持高分辨率纹理加载和复杂的场景渲染,确保了流畅的用户体验。此外,该芯片也可用于高性能计算(HPC)应用,如深度学习、图像识别和科学计算,其中内存带宽对整体性能有重要影响。
  除了消费类电子产品,H5PS1G83EFR_S6C 也广泛应用于工业自动化、医疗成像设备、视频监控系统等需要高速数据处理能力的领域。其稳定的工作温度范围(0°C 至 85°C)也使其适用于工业环境中的严苛条件。

替代型号

H5PS1G83EFR-S6C, H5PS1G83EFR-S6T, H5PS1G83ECR-S6C

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