RP2404GQW 时间：2025/9/13 15:54:23 阅读：16

RP2404GQW 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽工艺，能够提供较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他功率控制电路。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 24mΩ（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSMT（热增强型表面贴装）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　输入电容（Ciss）：约 850pF（@VDS=15V）

特性

RP2404GQW 具备多项卓越的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下最小的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。该 MOSFET 采用了先进的沟槽结构技术，使导通电阻与品质因数（FOM，RDS(on)*Qg）达到了良好的平衡，有助于实现快速开关操作并降低开关损耗。
　　此外，RP2404GQW 封装设计具有良好的热管理能力，能够在高负载条件下维持稳定的工作温度，从而提升器件的可靠性和寿命。这种封装形式也支持自动化表面贴装工艺，便于在 PCB 上进行高效组装。
　　该器件还具备较高的栅极电压容限（±20V），增强了在复杂电源环境中的稳定性和抗干扰能力。同时，其工作温度范围广泛（-55°C 至 150°C），适合在各种工业和汽车应用中使用。