您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H9TP32A8JDCCPR-KGM

H9TP32A8JDCCPR-KGM 发布时间 时间:2025/9/2 9:21:01 查看 阅读:2

H9TP32A8JDCCPR-KGM是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于移动设备和嵌入式系统中。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,具有高带宽、低功耗和高集成度的特点,适用于智能手机、平板电脑、高性能计算设备等对内存性能要求较高的应用领域。

参数

容量:32Gb(4GB)
  封装类型:FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
  内存类型:LPDDR4 SDRAM
  数据速率:3200 Mbps
  电压:1.1V(核心电压VDD),1.1V(I/O电压VDDQ)
  内存组织:x32架构
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:10mm x 12mm
  接口类型:JEDEC标准LPDDR4接口

特性

H9TP32A8JDCCPR-KGM采用了先进的1ynm工艺技术,提供了更高的数据传输速率和更低的功耗。其x32架构设计使得每个芯片可以传输更多的数据位,减少了所需的芯片数量,从而降低了系统设计的复杂性和成本。此外,该芯片支持多种低功耗模式,包括深度自刷新模式(DSR)、预充电节能模式(PSM)等,有助于延长移动设备的电池续航时间。
  这款DRAM芯片还具备良好的散热性能和稳定性,能够在高温环境下稳定运行。其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还增强了芯片的机械强度,使其适用于各种便携式电子设备。
  在功能方面,H9TP32A8JDCCPR-KGM支持多种高级功能,如写入校正和读取校准,确保数据传输的准确性和可靠性。它还支持多种突发长度模式,允许用户根据具体应用需求优化内存性能。

应用

H9TP32A8JDCCPR-KGM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、AR/VR设备、高性能计算模块(如AI加速器)以及需要大容量内存和高速数据处理能力的嵌入式系统。由于其低功耗特性和高带宽性能,它也非常适合用于需要长时间运行和高能效比的物联网(IoT)设备。

替代型号

H9TP32A8JDCCPR-KGM的替代型号包括H9TP32A8JDCCPR-NEC、H9TP32A8JDCCPR-KGC、H9TP32A8JDCCPR-KGM-21E等。这些型号在封装、性能或温度范围方面略有不同,用户可以根据具体应用需求选择最合适的型号。

H9TP32A8JDCCPR-KGM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价