时间：2025/9/2 9:21:01
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H9TP32A8JDCCPR-KGM是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备和嵌入式系统中。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，具有高带宽、低功耗和高集成度的特点，适用于智能手机、平板电脑、高性能计算设备等对内存性能要求较高的应用领域。
容量：32Gb（4GB）
封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
内存类型：LPDDR4 SDRAM
数据速率：3200 Mbps
电压：1.1V（核心电压VDD），1.1V（I/O电压VDDQ）
内存组织：x32架构
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：10mm x 12mm
接口类型：JEDEC标准LPDDR4接口
H9TP32A8JDCCPR-KGM采用了先进的1ynm工艺技术，提供了更高的数据传输速率和更低的功耗。其x32架构设计使得每个芯片可以传输更多的数据位，减少了所需的芯片数量，从而降低了系统设计的复杂性和成本。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度自刷新模式（DSR）、预充电节能模式（PSM）等，有助于延长移动设备的电池续航时间。
这款DRAM芯片还具备良好的散热性能和稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能，还增强了芯片的机械强度，使其适用于各种便携式电子设备。
在功能方面，H9TP32A8JDCCPR-KGM支持多种高级功能，如写入校正和读取校准，确保数据传输的准确性和可靠性。它还支持多种突发长度模式，允许用户根据具体应用需求优化内存性能。
H9TP32A8JDCCPR-KGM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、AR/VR设备、高性能计算模块（如AI加速器）以及需要大容量内存和高速数据处理能力的嵌入式系统。由于其低功耗特性和高带宽性能，它也非常适合用于需要长时间运行和高能效比的物联网（IoT）设备。
H9TP32A8JDCCPR-KGM的替代型号包括H9TP32A8JDCCPR-NEC、H9TP32A8JDCCPR-KGC、H9TP32A8JDCCPR-KGM-21E等。这些型号在封装、性能或温度范围方面略有不同，用户可以根据具体应用需求选择最合适的型号。
