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M5M5W816TP-55HI 发布时间 时间:2025/7/22 18:59:16 查看 阅读:7

M5M5W816TP-55HI 是由富士通(Fujitsu)生产的一款异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速读写能力,适用于需要快速数据访问的应用场合。M5M5W816TP-55HI 采用先进的CMOS技术制造,确保了低功耗和高可靠性,是工业控制、网络设备和通信系统等领域的理想选择。

参数

容量:16Mbit(2MB)
  组织方式:1M x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:2.0V 至 3.6V
  待机电流:最大10mA
  读取电流:最大160mA

特性

M5M5W816TP-55HI 是一款高性能的异步SRAM,具备高速访问能力和低功耗特性。该芯片的访问时间仅为55ns,能够满足高速数据处理的需求。其3.3V电源电压设计使其兼容现代低功耗系统,同时在待机模式下电流消耗极低,非常适合需要节能的应用场景。
  该芯片采用TSOP封装,减小了PCB占用空间,便于高密度布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛的工业环境。M5M5W816TP-55HI还支持数据保持电压范围为2.0V至3.6V,确保在电源波动情况下数据的完整性。
  此外,该SRAM芯片具备高可靠性和长寿命,能够在频繁读写操作中保持稳定性能。其CMOS工艺不仅降低了功耗,还提高了抗干扰能力,使其在复杂电磁环境中依然能够正常工作。

应用

M5M5W816TP-55HI SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的场景。常见的应用包括工业控制系统、网络路由器和交换机、通信设备、嵌入式系统以及需要缓存或临时数据存储的各种设备。由于其低功耗和高可靠性,该芯片也适用于便携式电子设备和电池供电系统。

替代型号

M5M5W816T-55HI, CY62148EVLL-55BHE3, IS61LV10248AL-55HIR

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