时间：2025/6/28 11:03:53
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SI1903DL-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件适用于多种开关和调节应用，其出色的性能参数使其成为需要高效率和低损耗设计的理想选择。
这款 MOSFET 的核心特点是其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关能力，从而确保在高频应用中的卓越表现。此外，其耐雪崩能力和高电流处理能力也使得 SI1903DL-T1-GE3 在各种严苛环境中表现出色。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
脉冲漏极电流(Ip)：114A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：7nC
总电容(Ciss)：2540pF
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
SI1903DL-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，减少开关损耗并提高效率。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
5. 耐热增强型封装设计，有助于改善散热性能。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
SI1903DL-T1-GE3 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高效开关元件。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统的保护与切换。
5. 电信设备中的负载开关。
6. 各类工业控制和汽车电子系统中的功率开关组件。
SI1902DL, IRFZ44N, FDP17N60C
