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H9HKNNNCTUMUBR- NMHR 发布时间 时间:2025/9/1 16:10:41 查看 阅读:20

H9HKNNNCTUMUBR- NMHR 是由SK Hynix公司生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要高速数据处理的电子设备中。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具有低功耗、高性能和高稳定性的特点,适用于高端计算、服务器、网络设备以及嵌入式系统等应用。

参数

容量:8GB
  类型:DRAM
  接口:DDR4
  频率:3200MHz
  电压:1.2V
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据宽度:x16
  组织结构:8G x16

特性

H9HKNNNCTUMUBR- NMHR是一款高性能的DDR4 SDRAM芯片,具备出色的稳定性和低功耗特性,适合长时间运行的设备。其3200MHz的工作频率确保了高速数据存取,满足现代计算和数据处理需求。该芯片采用先进的封装技术,具有良好的热管理和电气性能,能够在各种苛刻的环境下稳定运行。
  其低电压设计(1.2V)显著降低了功耗,同时减少了热量的产生,提高了能效。此外,该芯片具有较高的存储密度,8GB的容量能够支持大规模数据缓存和处理,适用于高性能计算、服务器和网络设备等应用。
  这款DRAM芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境下保持数据的完整性。其工作温度范围较宽,从-40°C到+85°C,适用于工业级和汽车电子应用。此外,它的x16数据宽度设计提供了更高的带宽,有助于提升系统性能。

应用

H9HKNNNCTUMUBR- NMHR适用于多种高性能计算和数据存储应用,包括高端PC、服务器、数据中心、网络交换设备、工业控制设备以及汽车电子系统。它在需要大容量内存和高速数据处理能力的场景中表现出色,能够有效提升系统的整体性能。

替代型号

H9HCNNNCTUMUBR-NMHR
  H9HKNNNCRUMUBR-NMHR

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