LP3201-12J5F 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率管理应用而设计。这款 MOSFET 采用先进的功率封装技术,提供了较低的导通电阻和高效的热性能。适用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理模块等应用场景。LP3201-12J5F 的主要特点是其集成的保护功能,如过温保护和过流保护,这些功能使其在高可靠性系统中表现出色。
类型:P 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id):最大 20A
漏极-源极电压 (Vds):最大 12V
栅极-源极电压 (Vgs):±8V
导通电阻 (Rds(on)):最大 8.5mΩ(在 Vgs = -4.5V 时)
功率耗散 (Pd):最大 3.2W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:PowerPAK SO-8 双散热片封装
LP3201-12J5F 具备多项优异特性,使其在众多功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在大电流应用中较低的功率损耗,提高了整体效率。该 MOSFET 在 Vgs = -4.5V 时,Rds(on) 最大为 8.5mΩ,这一数值在同类产品中具有竞争力。
其次,该器件采用 PowerPAK SO-8 封装,具备双散热片设计,提供了良好的热管理性能。这种封装形式不仅减少了 PCB 占用空间,还提高了散热效率,使得 LP3201-12J5F 非常适合高功率密度的设计需求。
此外,LP3201-12J5F 具备过温保护(OTP)和过流保护(OCP)功能,提升了器件在极端工作条件下的可靠性和安全性。这些保护机制可以防止器件在异常工作条件下损坏,从而延长系统的使用寿命。
最后,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±8V,支持较低的驱动电压(如 4.5V),这使得其能够与现代低电压控制器兼容,适用于各种电源管理系统。
LP3201-12J5F 主要用于需要高效功率管理的电子设备中。其典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电源管理模块以及电池供电系统。由于其低导通电阻和良好的热性能,它特别适用于高效率、高功率密度的电源设计。此外,该 MOSFET 还广泛应用于服务器、通信设备、工业自动化系统以及便携式电子产品中,提供稳定可靠的功率控制解决方案。
Si7155DP-T1-GE3, AO4486, IPP025N04LGATMA1